2020

 

 

1. Zh.I.Alferov, V.M.Andreev, M.Z.Shvarts « Chapter 8. III–V Solar Cells and Concentrator Arrays», High-Efficient Low-Cost Photovoltaics. Recent Developments. Second Edition Springer Ser. Opt. Sci., v.140, рр. 133-174, 2020.

2. A.S.Gudovskikh, A.V.Uvarov, I.A.Morozov, A.S.Bukatin, A.I.Baranov, D.A.Kudryashov, N.A.Kalyuzhnyy, S.A.Mintairov, V.I.Zubkov, G.E.Yakovlev, J.-P. Kleider “Study of GaP Nucleation Layers Grown on Si by Plasma-Enhanced Atomic Layer Deposition”, 2020, Phys. Status Solidi A-Appl. Mat., v. 217, ArtNo: #1900532

3. V.L.Berkovits, V.A.Kosobukin, V.P.Ulin, F.Yu.Soldatenkov, I.V.Makarenko, V.S.Levitskii, A.V.Nashchekin, P.A. Alekseev “Dissimilar gold nanoclusters at GaAs(0 0 1) surface: Formation chemistry, structure, and localized plasmons”, Applied Surface Science 507 (2020) 144982

4. S.A.Mintairov, V.V.Evstropov, N.A.Kalyuzhnyy, M.V.Maximov, M.A.Mintairov, A.M.Nadtochiy, N.V.Pavlov, M.Z.Shvarts, A.E.Zhukov «Electronic states in GaAs photoconverters with InGaAs quantum well-dots», Applied Physics Express 13, 1, 015009 (2020)

5. Е.В.Калинина, Г.Н.Виолина, И.П.Никитина, Е.В.Иванова, В.В.Забродский, М.З.Шварц, С.А.Левина, А.В.Николаев “Влияние температуры на характеристики 4H-SiC-фотоприемника”, ФТП, т. 54, вып. 2, стр. 195-201, 2020. Перевод: E.V.Kalinina, G.N.Violina, I.P.Nikitina, E.V.Ivanova, V.V.Zabrodski, M.Z.Shvarts, S.A.Levina, A.V.Nikolaev “Effect of Temperature on the Characteristics of 4H-SiC UV Photodetectors”, Semiconductors, 2020, Vol. 54, No. 2, pp. 246-252.

6. M.V.Maximov, A.M.Nadtochiy, S.A.Mintairov, N.A.Kalyuzhnyy, N.V.Kryzhanovskaya, E.I.Moiseev, N.Yu.Gordeev, Yu.M.Shernyakov, A.S.Payusov, F.I.Zubov, V.N.Nevedomskiy, S.S.Rouvimov, A.E.Zhukov «Light Emitting Devices Based on Quantum Well-Dots», Applied Sciences, v.10, 3, art.No 1038.

7. Н.Ю. Давидюк, Д.А. Малевский, П.В. Покровский, Н.С. Потапович, Н.А.Садчиков, А.В.Чекалин «Увеличение КПД концентраторных фотоэлектрических модулей при использовании фоконов в качестве вторичных оптических концентраторов», ПЖТФ, т. 46, вып. 5, стр. 38-40, 2020. Перевод: N.Yu.Davidyuk, D.A.Malevskii, P.V.Pokrovskii, N.S.Potapovich, N.A.Sadchikov, A.V.Chekalin «Increasing the Efficiency of Concentrator Photovoltaic Units with Focons As Secondary Optical Concentrators», Technical Physics Letters, 2020, Vol. 46, No. 3, pp. 239-241.

8. С.А.Минтаиров, Н.А.Калюжный, М.В.Максимов, А.М.Надточий, А.А.Харченко, М.З.Шварц, А.Е. Жуков «Экспериментальное и теоретическое исследование спектров фоточувствительности структур с квантовыми ямами-точками In0.4Ga0.6As оптического диапазона 900−1050 nm», ПЖТФ, т. 46, вып. 5, стр. 3-6, 2020. Перевод: S.A.Mintairov, N.A.Kalyuzhnyi, M.V.Maksimov, A.M.Nadtochii, A.A.Kharchenko, M.Z.Shvarts, A.E.Zhukov «Experimental and Theoretical Examination of the Photosensitivity Spectra of Structures with In0.4Ga0.6As Quantum Well-Dots of the Optical Range (900–1050 nm)», Technical Physics Letters, 2020, Vol. 46, No. 3, pp. 203-206.

9. В.С. Калиновский, Е.В. Контрош, Г.В. Климко, С.В. Иванов, В.С. Юферев, Б.Я. Бер, Д.Ю. Казанцев, В.М. Андреев «Разработка и исследование туннельных p−i−n-диодов GaAs/AlGaAs для многопереходных преобразователей мощного лазерного излучения», ФТП, т. 54, вып. 3, стр. 285-291, 2020. Перевод: V.S.Kalinovskii, E.V.Kontrosh, G.V.Klimko, S.V.Ivanov, V.S.Yuferev, B.Y.Ber, D.Y.Kazantsev, V.M.Andreev «Development and Study of the p–i–n GaAs/AlGaAs Tunnel Diodes for Multijunction Converters of High-Power Laser Radiation», Semiconductors, 2020, Vol. 54, No. 3, pp. 355-361.

10. М.А. Минтаиров, В.В. Евстропов, С.А. Минтаиров, М.З. Шварц, Н.А. Калюжный «Определение по спектру фототока ширины запрещенной зоны Ga1−x InxAs p−n-переходов на метаморфном буфере», Письма в ЖТФ, 2020, том 46, вып. 7, стр. 29-31. Перевод: M.A.Mintairov, V.V.Evstropov, S.A.Mintairov, M.Z.Shvartz, N.A.Kalyuzhnyi «Finding the Energy Gap of Ga1 – xInxAs p–n Junctions on a Metamorphic Buffer from the Photocurrent Spectrum», Technical Physics Letters, 2020, Vol. 46, No. 4, pp. 332-334.

11. В.М. Емельянов, Н.А. Калюжный, С.А. Минтаиров, М.В. Нахимович, Р.А. Салий, М.З. Шварц «Влияние легирования слоев брэгговских отражателей на электрические свойства InGaAs/GaAs метаморфных фотопреобразователей», ФТП, т. 54, вып. 4, стр. 400-407, 2020. Перевод: V.M.Emelyanov, N.A.Kalyuzhnyy, S.A.Mintairov, M.V.Nakhimovich, R.A.Salii, M.Z.Shvarts «Effects of Doping of Bragg Reflector Layers on the Electrical Characteristics of InGaAs/GaAs Metamorphic Photovoltaic Converters», Semiconductors, 2020, Vol. 54, No. 4, pp. 476-483.

12. A.E.Zhukov, N.V.Kryzhanovskaya, E.I.Moiseev, A.M.Nadtochiy, A.S.Dragunova, M.V.Maximov, F.I.Zubov, S.A.Kadinskaya, Y.Berdnikov, M.M.Kulagina, S.A.Mintairov, N.A.Kalyuzhnyy «Impact of Self-Heating and Elevated Temperature on Performance of Quantum Dot Microdisk Lasers», 2020, IEEE J. Quantum Electron., v.56, 5 ArtNo: #2000908

13. А.Е. Жуков, Н.В. Крыжановская, Э.И. Моисеев, М.М. Кулагина, С.А. Минтаиров, Н.А. Калюжный, А.М. Надточий, М.В. Максимов «Предельная температура генерации микродисковых лазеров», ФТП, т. 54, вып. 6, стр. 570-574, 2020. Перевод: A.E.Zhukov, N.V.Kryzhanovskaya, E.I.Moiseev, M.M.Kulagina, S.A.Mintairov, N.A.Kalyuzhnyy, A.M.Nadtochiy, M.V.Maximov «Ultimate Lasing Temperature of Microdisk Lasers», Semiconductors, 2020, Vol. 54, No. 6, pp. 570-574.

14. Н.Ю. Давидюк, А.В. Андреева, Д.А. Малевский, П.В. Покровский, Н.А.Садчиков, А.В.Чекалин «Теплоотводящие электроизолирующие платы для фотоэлектрических преобразователей концентрированного солнечного излучения», ПЖТФ, т. 46, вып. 9, стр. 29-31, 2020. Перевод: N.Yu.Daviduk, A.V.Andreeva, D.A.Malevsky, P.V.Pokrovsky, N.A.Sadchikov, A.V.Chekalin, V.M.Andreev «Electroinsulated Heat Sinks for Concentrated Photovoltaic Solar Cells», Technical Physics Letters, 2020, Vol. 46, No. 5, pp. 436-438.

15. А.Е.Жуков, Э.И.Моисеев, А.М.Надточий, Н.В.Крыжановская, М.М.Кулагина, С.А.Минтаиров, Н.А.Калюжный, Ф.И.Зубов, М.В.Максимов «Влияние саморазогрева на модуляционные характеристики микродискового лазера», Письма в ЖТФ, 2020, том 46, вып. 11, стр. 3-7. Перевод: A.E.Zhukov, E.I.Moiseev, A.M.Nadtochii, N.V.Kryzhanovskaya, M.M.Kulagina, S.A.Mintairov, N.A.Kalyuzhnyi, F.I.Zubov, M.V.Maximov «The Effect of Self-Heating on the Modulation Characteristics of a Microdisk Laser», Technical Physics Letters, 2020, Vol. 46, No. 6, pp. 515-519.

16. Д.А. Малевский, П.В. Покровский, В.Р. Ларионов, А.В. Малевская, В.М. Андреев “Система контроля точности слежения за Солнцем концентраторных фотоэнергоустановок”, Письма в ЖТФ, 2020, том 46, вып. 11, стр. 11-13. Перевод: D.A. Malevskii, P.V. Pokrovskii, V. R. Larionov, A. V. Malevskaya, V.M. Andreev «Control System of Sun-Tracking Accuracy for Concentration Photovoltaic Installations», Technical Physics Letters, 2020, Vol. 46, No. 6, pp. 523–525.

17. S.A.Levina, V.M.Emelyanov, E.D.Filimonov, M.A.Mintairov, M.Z.Shvarts, V.M.Andreev “Cascade Optical Coupling and Quantum Efficiency Measurements of MJ SCs”, Solar Energy Materials & Solar Cells, v. 213, рр. 110560, 2020.

18. М.А. Минтаиров, В.В. Евстропов, С.А. Минтаиров, А.М. Надточий, Р.А. Салий, М.З. Шварц, Н.А. Калюжный «Влияние числа рядов GaInAs-квантовых объектов на ток насыщения GaAs-фотопреобразователей», ПЖТФ, т. 46, вып. 12, стр. 30-33, 2020. Перевод: M.A.Mintairov, V.V.Evstropov, S.A.Mintairov, A.M.Nadtochii, R.A.Salii, M.Z.Shvarts, N.A.Kalyuzhnyi «The Influence of the Number of Rows of GaInAs Quantum Objects on the Saturation Current of GaAs Photoconverters», Technical Physics Letters, 2020, Vol. 46, No. 6, pp. 599–602

19. Н.В.Крыжановская, Э.И.Моисеев, А.М.Надточий, А.A.Харченко, М.М.Кулагина, С.А.Минтаиров, Н.А.Калюжный, М.В.Максимов, А.Е.Жуков «Микрооптопара на базе микродискового лазера и фотодетектора с активной областью на основе квантовых ям-точек», ПЖТФ, т. 46, вып. 13, стр. 7-10, 2020. Перевод: N.V.Kryzhanovskaya, E.I.Moiseev, A.M.Nadtochiy, A.A.Kharchenko, M.M.Kulagina, S.A.Mintairov, N.A.Kalyuzhnyy, M.V.Maximov, A.E.Zhukov “A Micro Optocoupler Based on a Microdisk Laser and a Photodetector with an Active Region Based on Quantum Well-Dots”, Technical Physics Letters, 2020, Vol. 46, No. 7, pp. 629-632.

20. А.В. Чекалин, А.В. Андреева, Н.Ю. Давидюк, Д.А. Малевский, П.В. Покровский, Н.С. Потапович, Н.А. Садчиков, В.М. Андреев «Высокоэффективные фотоэлектрические модули с концентраторами солнечного излучения», ПЖТФ, т. 46, вып. 13, стр. 24-26, 2020. Перевод: A.V.Chekalin, A.V.Andreeva, N.Yu.Davidyuk, D.A.Malevskii, P.V.Pokrovskii, N.S.Potapovich, N.A.Sadchikov, V.M.Andreev “High-Efficiency Photoelectric Units with Sunlight Concentrators”, Technical Physics Letters, 2020, Vol. 46, No. 7, pp. 646-648

21. В.М.Андреев, В.А.Баринов, С.Д.Варфоломеев, З.А.Годжаев, В.И.Гришин, А.А.Дьяконов, С.Я.Есяков, Ю.Ф.Лачуга, И.А.Каляев, К.А.Лунин, В.Ф.Матюхин, В.Я.Панченко, И.Я.Редько, Л.Ю.Рокецкий, А.С.Сигов, В.А.Стенников, А.Л.Шестаков, А.Ю.Цивадзе «Создание комплексных интегрированных систем энергоснабжения на базе инновационных технологий в условиях происходящих в мире процессов», 2020, Электричество, т.3, стр. 4-12.

22. В.П. Хвостиков, Н.А. Калюжный, С.А. Минтаиров, Н.С. Потапович, О.А. Хвостикова, С.В. Сорокина, М.З. Шварц «Модули фотоэлектрических преобразователей лазерного (λ = 809−850 nm) излучения», ЖТФ, т. 90, вып. 10, стр. 1764-1768, 2020. Перевод: V.P.Khvostikov, N.A.Kalyuzhnyy, S.A.Mintairov, N.S.Potapovich, O.A.Khvostikova, S.V.Sorokina, M.Z.Shvarts «Laser Power Converter Modules with a Wavelength of 809–850 nm», Technical Physics, 2020, Vol. 65, No. 10, pp. 1690-1694.

23. M.V.Maximov, N.Y.Gordeev, Y.M.Shernyakov, A.S.Payusov, S.A.Mintairov, N.A.Kalyuzhnyy, G.O.Kornyshov, A.A.Serin, A.A.Usikova, I.M.Gadzhiev, M.M.Kulagina, A.M.Nadtochiy, A.E.Zhukov «Optoelectronic devices with active region based on InGaAs/GaAs quantum well-dots», Semiconductor Lasers And Laser Dynamics IX 2020 Proc. SPIE, v.11356, рр. 113560A, 2020 SPIE ISSN: 0277-786X.

24. N.V.Kryzhanovskaya, E.I.Moiseev, F.I.Zubov, M.V.Maximov, S.A.Blokhin, N.A.Kalyuzhnyy, S.A.Mintairov, M.M.Kulagina, N.Ledentsov Jr., N.Ledentsov, A.E.Zhukov «Small-signal modulation and 10 Gb/s data transmission by microdisk lasers based on InGaAs/GaAs quantum well-dots», Semiconductor Lasers And Laser Dynamics IX 2020 Proc. SPIE, v.11356, рр. 1135608, 2020 SPIE ISSN: 0277-786X.

25. M.A.Mintairov, V.V.Evstropov, S.A.Mintairov, A.M.Nadtochiy, M.V.Nahimovich, R.A.Salii, M.Z.Shvarts, N.A.Kalyuzhnyy «Estimation of the potential for increasing the efficiency of GaInP/GaAs/Ge multi-junction solar cells by using quantum-size objects», Applied Physics Express 13, 6, 065004 (2020)

26. M.A.Mintairov, V.V.Evstropov, S.A.Mintairov, A.M.Nadtochiy, M.V.Nahimovich, R.A.Salii, M.Z.Shvarts, N.A.Kalyuzhnyy «Improving the voltage of GaAs solar cells with In0.4Ga0.6As nanostructures», Applied Physics Express 13, 075002 (2020)

27. М.М.Соболев, Ф.Ю.Солдатенков «Емкостная спектроскопия гетероэпитакиальных AlGaAs/GaAs p-i-n-структур», ФТП, том 54, выпуск 10, стр. 1072-1078 (2020). Перевод: M.M.Sobolev and F.Y.Soldatenkov «Capacitance Spectroscopy of Heteroepitaxial AlGaAs/GaAs p–i–n Structures», Semiconductors, 2020, Vol. 54, No. 10, pp. 1260-1266.

28. Р.А. Салий, С.А. Минтаиров, А.М. Надточий, В.Н. Неведомский, М.З. Шварц, Н.А. Калюжный «Сравнительный анализ оптических и физических свойств квантовых точек InAs, In0.8Ga0.2As и фотоэлектрических преобразователей на их основе», ФТП, том 54, вып. 10, стр. 1079-1087 (2020). Перевод: R.A.Salii, S.A.Mintairov, A.M.Nadtochiy, V.N.Nevedomskii, M.Z.Shvarts, N.A.Kalyuzhnyy « Comparative Analysis of the Optical and Physical Properties of InAs and In0.8Ga0.2As Quantum Dots and Solar Cells Based on them», Semiconductors, 2020, Vol. 54, No. 10, pp. 1267-1275.

29. А.В. Малевская, Д.А. Малевский, П.В. Покровский, В.М. Андреев “Исследование методов пассивации и защиты каскадных солнечных элементов”, Письма в ЖТФ, 2020, том 46, вып.19, стр. 35-37. Перевод: A.V.Malevskaya, D.A.Malevskii, P.V.Pokrovskii, V.M.Andreev «Investigation of Passivating and Protecting Methods for Multijunction Solar Cells», Technical Physics Letters, 2020, Vol. 46, No. 10, pp. 976-978.

30. Н.С. Потапович, Н.Ю. Давидюк, В.Р. Ларионов, В.П. Хвостиков «Исследование влияния вторичных объемных концентраторов на выходные параметры фотоэлектрических модулей», ЖТФ, т. 90, вып. 12, стр. 2116-2120, 2020. Перевод: N.S.Potapovich, N.Yu.Davidyuk, V.R.Larionov, V.P.Khvostikov, «An Investigation of the Influence of Secondary Optical Elements on the Output Parameters of Photovoltaic Modules», Technical Physics, Vol. 65, No. 12, pp. 2026-2030, 2020.

31. M.M.Sobolev, F.Y.Soldatenkov, V.G.Danil'chenko “Deep-level defects in high-voltage AlGaAs p-i-n diodes and the effect of these defects on the temperature dependence of the minority carrier lifetime”, Journal of Applied physics, 128, 095705 (2020)

32. N.A.Kalyuzhnyy, V.M.Emelyanov, V.V.Evstropov, S.A.Mintairov, M.A.Mintairov, M.V.Nahimovich, R.A.Salii, M.Z.Shvarts “Optimization of photoelectric parameters of InGaAs metamorphic laser (λ=1064 nm) power converters with over 50% efficiency”, Solar Energy Materials & Solar Cells, v. 217, рр. 110710, 2020.

33. M.Z.Shvarts, V.M.Emelyanov, D.A.Malevskiy, M.A.Mintairov, S.A.Mintairov, M.V.Nakhimovich, P.V.Pokrovskiy, R.A.Salii, N.A.Kalyuzhnyy “Temperature Tweaking of the Output Photovoltaic Parameters of Laser Power Converters”, 2020, IEEE Electron Device Letters, v.41, 9, pp. 1324-1327

34. M.Maximov, N.Gordeev, A.Payusov, Yu.Shernyakov, S.Mintairov, N.Kalyuzhnyy, M.Kulagina, A.Nadtochiy, V.Nevedomskiy, A.Zhukov “Modification of InGaAs/GaAs heterostructure density of states and optical gain using hybrid quantum well-dots”, 2020, Laser Phys. Lett., v.17, 9 ArtNo: #095801

35. E.Kalinina, A.Lebedev, V.Kozlovski, V.Zabrodski, A.Nikolaev, M.Shvarts, S.Levina “Effect Irradiation with 15 MeV Protons on Properties of 4H-SiC UV Detectors”, 18th International conference on silicon carbide and related materials, ICSCRM 2019 Mater. Sci. Forum, v.1004 MSF, pp. 1104-1108, 2020 Trans Tech Publications LTD.

36. Maxim Z. Shvarts, Mariia V. Nakhimovich, Nikolay A. Sadchikov and Andrey A.Soluyanov, «Tweaking of Refractive Surfaces to Improve the Irradiance Uniformity in Fresnel Lenses: Possibilities and Limitations», AIP Conf. Proceedings (Proceedings of the CPV-16), v. 2298, 050005, 2020

37. Maxim Z. Shvarts, Mariia V. Nakhimovich, Evgeniya A. Ionova, Nikolay Yu. Davidyuk and Andrey A. Soluyanov, «Switching of Current Modes in a Concentrator Multi-Junction Solar Cell Due to the Fresnel Lens Chromatic Aberration», AIP Conf. Proceedings (Proceedings of the CPV-16), v. 2298, 020009, 2020

38. A N Panchak, P V Pokrovskiy, V R Larionov, D A Malevskiy, M V Nakhimovich and M Z Shvarts, "Time Delay at Photovoltaic Parameters Determination for High Power Laser Converters", AIP Conference Proceedings (Proceedings of the CPV-16), v. 2298, 020008, 2020.

39. N.A.Kalyuzhnyy, V.M.Emelyanov, S.A.Mintairov, M.V.Nahimovich, R.A.Salii, M.Z.Shvarts “InGaAs metamorphic laser power converters with distributed Bragg reflector for wavelength range λ=1 – 1.1 μm”, AIP Conference Proceedings (Proceedings of the CPV-16), v. 2298, 030001, 2020.

40. E.V.Kontrosh, V.V.Lebedev, V.S.Kalinovsky, G.V.Klimko, V.M.Andreev “Influence of adjacent isotype layers on the characteristics of n++-GaAs/i-GaAs/i-AlGaAs/ p++-AlGaAs tunnel diodes”, AIP Conference Proceedings Proceedings of the CPV-16), v. 2298, 020004, 2020.

41. M.A.Mintairov, V.V.Evstropov, S.A.Mintairov, M.V.Nakhimovich, M.Z.Shvarts, N.A.Kalyuzhnyy “Correlation between the open circuit voltage and the electroluminescence spectrum of solar cells with quantum objects”, AIP Conference Proceedings Proceedings of the CPV-16), v. 2298, 020007, 2020.

42. M.Shvarts, V.Larionov, P.Pokrovskiy, N.Sadchikov, D.Malevskiy «Monitoring complex for concentrator photovoltaic installation with a tracking system», IOP Conf. Series: Earth and Environmental Science, 578 (2020) 012054

43. В.С. Эполетов, А.Е. Маричев, Б.В. Пушный, Р.А. Салий «Электрические контакты к структурам на основе InP с подконтактным слоем к p-InP легированным Zn», ПЖТФ, т. 46 вып. 23, стр. 13-14. Перевод: V.S.Epoletov, A.E.Marichev, B.V.Pushnyi, R.A.Salii «Electrical Contacts to InP-based Structures with a Zn-doped Subcontact Layer to p-InP», Technical Physics Letters, 2020, Vol. 46, No. 12, pp. 1167-1169.

44. Р.В. Левин, И.В. Федоров, А.С. Власов, П.Н. Брунков, Б.В. Пушный «Выглаживание поверхности антимонида галлия», ПЖТФ, т. 46 вып. 23, стр. 48-50. Перевод: R.V.Levin, I.V.Fedorov, A.S.Vlasov, P.N.Brunkov, B.V.Pushnyy «Smoothing the Surface of Gallium Antimonide», Technical Physics Letters, 2020, Vol. 46, No. 12, pp. 1203-1205.

45. С.А.Минтаиров, И.М.Гаджиев, Н.А.Калюжный, М.В.Максимов, А.М.Надточий, М.В.Нахимович, Р.А.Салий, М.З.Шварц, А.Е. Жуков «Быстродействующие фотодетекторы оптического диапазона 950−1100 nm на основе In0.4Ga0.6As/GaAs-наноструктур квантовая яма−точки», Письма в ЖТФ, 2020, том 46, вып.24, стр. 11-14. Перевод: S.A.Mintairov, I.M.Gadzhiev, N.A.Kalyuzhnyi, M.V.Maksimov, A.M.Nadtochii, M.V.Nakhimovich, R.A.Salii, M.Z.Shvarts, A.E.Zhukov «High-Speed Photodetectors for the 950–1100 nm Optical Range Based on In0.4Ga0.6As/GaAs Quantum Well-Dot Nanostructures», Technical Physics Letters, 2020, Vol. 46, No. 12, pp. 1219-1222.

46. В.Б.Залесский, В.С.Калиновский, А.А.Ходин «Метрология полупроводниковых фотоэлектрических преобразователей солнечной энергии», Проблемы физики, математики и техники, т.3 (44), 2020, стр. 22-29

47. V. L. Berkovits, V. A. Kosobukin, V. P. Ulin, F. Y. Soldatenkov, P. A. Alekseev, and V. S. Levitskii. Optical Spectroscopy of Schottky Nanostructures Au/GaAs: Plasmon Resonances and Anisotropy. Semiconductors, 2020, Vol. 54, No. 14, pp. 1877–1880

48. R.A.Salii, V.V.Evstropov, S.A.Mintairov, M.A.Mintairov, M.V.Nakhimovich, M.ZShvarts, N.A.Kalyuzhnyy «The study of voltage loss reasons in GaAs solar cells with embedded InGaAs quantum dots», Journal of Physics: Conference Series, vol. 1695, pp. 012078, 2020.

49. M.A.Mintairov, V.V.Evstropov, S.A.Mintairov, M.Z.Shvarts, N.A.Kalyuzhnyy «Isotype barriers in the connecting part of multi-junction solar cells», Journal of Physics: Conference Series, vol. 1695, pp. 012091, 2020.

50. M.A.Mintairov, V.V.Evstropov, S.A.Mintairov, M.V.Nakhimovich, M.Z.Shvarts, N.A.Kalyuzhnyy « The dependence of recombination in GaAs solar cells on the number of included GaInAs quantum objects», Journal of Physics: Conference Series, vol. 1695, pp. 012092, 2020.

51. A.Yu.Vinogradov, E.I.Moiseev, N.V.Kryzhanovskaya, N.A.Fominykh, F.I.Zubov, M.M.Kulagina, S.A.Mintairov, N.A.Kalyuzhnyi, M.V.Maximov, A.E.Zhukov «Investigation of microdisk and microring lasers based on InGaAs/GaAs QWDs by the interferometry method», Journal of Physics: Conference Series, vol. 1695, pp. 012093, 2020.

52. S.A.Kadinskaya, E.I.Moiseev, N.V.Kryzhanovskaya, F.I.Zubov, S.A.Mintairov, N.A.Kalyuzhnyi, M.M.Kulagina, N.AюFominykh, M.V.Maximov, A.E.Zhukov «Experimental investigation of the far-field emission pattern of microdisk laser modes», Journal of Physics: Conference Series, vol. 1695, pp. 012094, 2020.

53. N.V.Kryzhanovskaya, E.I.Moiseev, A.E.Zhukov, F.I.Zubov, N.A.Kalyuzhnyy, S.A.Mintairov, Yu.A.Guseva, V.G.Tikhomirov, M.M.Kulagina, S.A.Kadinskaya, A.Yu.Vinogradov, M.V.Maximov «Analysis of the lasing characteristics of InGaAs/GaAs WGM microlasers», Journal of Physics: Conference Series, vol. 1695, pp. 012096, 2020.

54. A M Zhirnov, A E Marichev, V S Epoletov, N D Prasolov, R V Levin and B V Pushnyi, "Technology of nanoplanar surface preparation of GaSb and InP substrates", Journal of Physics: Conference Series, vol. 1697, pp. 012248, 2020

55. E.V.Kontrosh, V.V.Lebedev, G.V.Klimko, V.S.Kalinovskii and V.M.Andreev "Investigation of characteristics of GaAs/AlGaAs p-i-n connecting tunnel diodes", Journal of Physics: Conference Series, vol. 1697, pp. 012185, 2020

56. L.B.Karlina, A.S.Vlasov, I.P.Smirnova, I.P.Soshnikov “Sn -assisted growth of Ga(In)AsP nanowires from vapor phase in a quasi-closed volume”, Journal of Physics: Conference Series, vol. 1697, pp. 012109, 2020

57. M Z Shvarts, V M Emelyanov, D A Malevskiy, M A Mintairov, S A Mintairov, M V Nakhimovich, P V Pokrovskiy, R A Salii, N A Kalyuzhnyy «Tuning of laser power converters efficiency by means of temperature», Journal of Physics: Conference Series, vol. 1697, pp. 012191, 2020

58. A.N.Panchak, S.A.Mintairov, M.A.Mintairov, R.A.Salii, N.A.Kalyuzhnyy, M.V.Nakhimovich and M.Z.Shvarts, "Photovoltaic converters with quantum objects under laser flux of subband photons", Journal of Physics: Conference Series, vol. 1697, pp. 012189, 2020

59. R.A.Salii, M.A.Mintairov, S.A.Mintairov, A.M.Nadtochiy, N.A.Kalyuzhnyy “Comparative analysis of the optical and physical properties of InAs and In0.8Ga0.2As quantum dots”, Journal of Physics: Conference Series, vol. 1697, pp. 012107, 2020.

60. V.L.Berkovits, V.A.Kosobukin, V.P.Ulin, F.Y.Soldatenkov, P.A.Alekseev “Anisotropic plasmons in Au/GaAs(001) structures with gold nanoclusters”, Journal of Physics: Conference Series, vol. 1697, pp. 012101, 2020

61. M.A.Mintairov, V.V.Evstropov, S.A.Mintairov, M.V.Nahimovich, M.Z.Shvarts, N.A.Kalyuzhnyy “The GaAs laser photoconverter (λ = 809 nm) current flow mechanisms at the temperature range of 100-420 K”, Journal of Physics: Conference Series, vol. 1697, pp. 012170, 2020.

62. G.O.Kornyshov, N.Yu.Gordeev, A.S.Payusov, A.A.Serin, Yu.M.Shernyakov, S.A.Mintairov, N.A.Kalyuzhnyy, M.V.Maximov, A.E.Zhukov “Gain spectra of lasers based on transitional dimension active region”, Journal of Physics: Conference Series, vol. 1697, pp. 012177, 2020.

63. K.M.Afanasev, A.S.Vlasov, D.V.Lebedev, S.A.Mintairov, N.A.Kalyuzhnyy, R.A.Saly, Yu.M.Zadiranov, A.M.Mintairov “Micro-photoluminescence of InP/GaInP2 quantum dots structures for topological quantum gates”, Journal of Physics: Conference Series, vol. 1697, pp. 012201, 2020.

64. M.V.Maximov, N.Yu.Gordeev, A.S.Payusov, Yu.M.Shernyakov, S.A.Mintairov, N.A.Kalyuzhnyy, A.M.Nadtochiy, A.A.Serin, G.O.Kornyshov, A.E. Zhukov “Optical gain and high-power operation of edge-emitting lasers based on quantum well-dots”, International Conference Laser Optics 2020 (ICLO 2020) 2020 IEEE-Inst Electrical Electronics Engineers Inc, DOI: 10.1109/ICLO48556.2020

65. D.Lebedev, A.Vlasov, V.Smirnov, I.Breev, E.Pelucchi, A.Gocalinska, G.Juska, M.Kulagina, Yu.Guseva, S.Troshkov, V.Davydov, A.Smirnov, A. Mintairov «Whispering Gallery Mode Emission of Low Density InP/GaInP Quantum Dots», AIP Conference Proceedings, v. 2300, 020079, 2020.

66. A.S.Vlasov, A.V.Ankudinov, N.A.Kalyuzhnyy, D.V.Lebedev, S.A.Mintairov, R.A.Salii, I.S.Mukhin, A.M.Mozharov, A.M.Mintairov «Selective Epitaxy of InP/GaInP Quantum Dots using SiO2 mask», AIP Conference Proceedings, v. 2300, 020130, 2020.

67. E.V.Kalinina, A.A.Lebedev, V.V.Kozlovski, V.Zabrodski, A.Nikolaev, M.Z.Shvarts, S.Levina «Effect Irradiation with 15 MeV Protons on Properties of 4H- SiC UV Detectors», 18th International Conference On Silicon Carbide And Related Materials, ICSCRM 2019 Mater. Sci. Forum, v.1004 MSF, рр. 1104-1108, 2020