2017

 

 

1. Д.В. Рыбальченко, С.А. Минтаиров, Р.А. Салий, Н.Х. Тимошина, М.З. Шварц и Н.А. Калюжный, «Оптимизация структурных и ростовых параметров метаморфных InGaAs-фотопреобразователей, полученных методом МОС-гидридной эпитаксии», ФТП, т. 51, вып. 1, 2017, стр. 94-100, ISSN: 0015-3222. Перевод: D.V.Rybalchenko, S.A.Mintairov, R.A.Salii, M.Z.Shvarts, N.Kh.Timoshina, and N.A.Kalyuzhnyy «Optimization of Structural and Growth Parameters of Metamorphic InGaAs Photovoltaic Converters Grown by MOCVD», Semiconductors, v.51, Issue 1, pp.93-99, 2017, ISSN: 1063-7826

2. С.Б. Мусалинов, А.П. Анзулевич, И.В. Бычков, А.С. Гудовских, М.З. Шварц «Влияние двух- и трехслойных просветляющих покрытий на формирование фототоков в многопереходных солнечных элементах на основе AIIIBV», ФТП, т. 51, вып. 1, 2017, стр. 89-93, ISSN: 0015-3222. Перевод: S.B.Musalinov, A.P.Anzulevich, I.V.Bychkov, A.S.Gudovskikh, and M.Z.Shvarts «Influence of Double- and Triple-Layer Antireflection Coatings on the Formation of Photocurrents in Multijunction III–V Solar Cells», Semiconductors, v.51, Issue 1, pp.88-92, 2017, ISSN: 1063-7826

3. А.В. Саченко, В.П. Костылев, И.О. Соколовский, А.В. Бобыль, В.Н.Вербицкий, Е.И. Теруков, М.З. Шварц «Особенности токопрохождения в гетеропереходных солнечных элементах на основе », ПЖТФ, т. 43, вып. 3, 2017, стр. 29-38. Перевод: A.V.Sachenko, V.P.Kostylyov, I.O.Sokolovskyi, A.VBobyl`, V.NVerbitskii, E.I.Terukov, M.Z.Shvarts «Specific features of current flow in alpha-Si:H/Si heterojunction solar cells», Technical Physics Letters, 2017, Vol. 43, No. 2, pp. 152–155, ISSN: 1063-7850.

4. Alexey M. Nadtochiy, Mikhail V. Maximov, Sergey A. Mintairov, Nikolay A. Kalyuzhnyy, Yuri M. Shernyakov, Alexey S. Payusov, Alexey E. Zhukov, Sergei Rouvimov and Artem V. Savelyev “Light-emitting and photovoltaic devices based on quantum well-dots hybrid nanostructures”, 2017 SPIE-INT SOC OPTICAL ENGINEERING, Proc. SPIE, v.10114, страницы: #101140Y ISSN: 0277-786X ISBN: 978-1-5106-0669-2

5. С.А.Минтаиров, Н.А.Калюжный, А.М.Надточий, М.В.Максимов, С.С.Рувимов, А.Е.Жуков «Оптические свойства гибридных наноструктур “квантовая яма-точки”, полученных методом МОС-гидридной эпитаксии», ФТП, т. 51, вып. 3, 2017, стр. 372-377, ISSN: 0015-3222. Перевод: S.A.Mintairov, N.A.Kalyuzhnyy, A.M.Nadtochiy, M.V.Maximov, S.S.Rouvimov, A.E.Zhukov «Optical properties of hybrid quantum-well–dots nanostructures grown by MOCVD», Semiconductors, v.51, Issue 3, pp.357-362, 2017, ISSN: 1063-7826

6. В.П. Улин, Н.В. Улин, Ф.Ю. Солдатенков «Анодные процессы в условиях химического и электрохимического травления кристаллов кремния в кислых фторидных растворах. Механизм порообразования», ФТП, т. 51, вып. 4, 2017, стр. 481-496, ISSN: 0015-3222. Перевод: V. P. Ulin, N. V. Ulin, F. Yu. Soldatenkov « Anodic processes in the chemical and electrochemical etching of Si crystals in acid-fluoride solutions: Pore formation mechanism», Semiconductors, v.51, Issue 4, pp.458-472, 2017, ISSN: 1063-7826

7. Е.А. Ионова, М.В. Уланов, Н.Ю. Давидюк, Н.А. Садчиков «Концентраторы солнечного излучения в паре с многопереходными фотоэлектрическими преобразователями в наземных гелиоэнергетических установках (часть II)», ЖТФ, т.87, вып. 4, 2017, стр. 569-577, ISSN: 0044-4642. Перевод: E. A. Ionova, M. V. Ulanov, N. Yu. Davidyuk, and N. A. Sadchikov “Solar Radiation Concentrators Paired with Multijunction Photoelectric Converters in Ground-Based Solar Power Plants (Part II)”, Tech. Phys., v. 62, № 4, pp. 589-597, 2017, ISSN: 1063-7842.

8. С.А.Минтаиров, Н.А.Калюжный, М.В.Максимов, А.М.Надточий, В.Н.Неведомский, А.Е. Жуков «Квантовые точки InAs, выращенные в метаморфной матрице In0.25Ga0.75As методом МОС-гидридной эпитаксии», ФТП, т. 51, вып. 5, 2017, стр. 611-617, ISSN: 0015-3222. Перевод: S. A. Mintairov, N. A. Kalyuzhnyy, M. V. Maximov, A.M.Nadtochiy, V. N. Nevedomskiy, and A. E. Zhukov “InAs QDs in a Metamorphic In0.25Ga0.75As Matrix, Grown by MOCVD”, Semiconductors, v.51, Issue 5, pp.672-678, 2017, ISSN: 1063-7826

9. А.С.Власов, Л.Б.Карлина, Ф.Э.Комисаренко, А.В. Анкудинов «Модификация поверхности GaAs и наблюдение эффекта гигантского рамановского рассеяния после диффузии индия», ФТП, т. 51, вып. 5, 2017, стр. 618-621, ISSN: 0015-3222. Перевод: A. S. Vlasov, L. B. Karlina, F. E. Komissarenko, and A. V. Ankudinov “Modification of the Surface of GaAs and Observation of Surface Enhanced Raman Scattering after the Diffusion of Indium”, Semiconductors, v.51, Issue 5, pp.582-585, 2017, ISSN: 1063-7826

10. В.П.Хвостиков, С.В.Сорокина, Н.С.Потапович, О.А.Хвостикова, Н.Х.Тимошина «Фотоэлектрический приемник лазерного излучения (λ =809 нм) на основе GаAs», ФТП, т. 51, вып. 5, 2017, стр. 683-686, ISSN: 0015-3222. Перевод: V. P. Khvostikov, S. V. Sorokina, N. S. Potapovich, O. A. Khvostikova, and N. Kh. Timoshina “Laser (λ = 809 nm) Power Converter Based on GaAs”, Semiconductors, v.51, Issue 5, pp.645-648, 2017, ISSN: 1063-7826

11. Л.Б.Карлина, А.С.Власов, Б.Я.Бер, Д.Ю.Казанцев, Н.Х.Тимошина, М.М.Кулагина, А.Б.Смирнов «Формирование p -эмиттера с участием сурфактантов в GaAs фотоэлектрических преобразователях», ФТП, т. 51, вып. 5, 2017, стр. 706-710, ISSN: 0015-3222. Перевод: L. B. Karlina, A. S. Vlasov, B. Ya. Ber, D. Yu. Kazantsev, N. Kh. Timoshina, M. M. Kulagina, and A. B. Smirnov “Formation of a p-Type Emitter with the Involvement of Surfactants in GaAs Photoelectric Converters”, Semiconductors, v.51, Issue 5, pp.667-671, 2017, ISSN: 1063-7826

12. П.В. Середин, А.С. Леньшин, Ю.Ю. Худяков, И.Н. Арсентьев, Н.А. Калюжный, С.А. Минтаиров, Д.Н. Николаев, Тatiana Prutskij «Экспериментальные исследования влияния эффектов атомного упорядочения в эпитаксиальных твердых растворах Gax In1−xP на их структурные и морфологические свойства», ФТП, т. 51, вып. 8, 2017, стр. 1131-1137, ISSN: 0015-3222. Перевод: P. V. Seredin, A. S. Lenshin, Yu. Yu. Khudyakov, I. N. Arsentyev, N. A. Kaliuzhny, S. A. Mintairov, D. N. Nikolaev, and Tatiana Prutskij «Experimental Studies of the Effects of Atomic Ordering in Epitaxial GaxIn1 – xP Alloys on their Structural and Morphological Properties», Semiconductors, v.51, Issue 8, pp.1087-1092, 2017, ISSN: 1063-7826

13. N.A.Kalyuzhnyy, S.A.Mintairov, A.M.Nadtochiy, V.N.Nevedomskiy, D.V.Rybalchenko, M.Z.Shvarts «InGaAs metamorphic laser (1064 nm) power converters with over 40% efficiency», Electronics Letters, v.53, 3, 2017, pp. 173-175, ISSN: 0013-5194.

14. S.A.Mintairov, N.A.Kalyuzhnyy, M.V.Maximov, A.M.Nadtochiy, A.E.Zhukov «InGaAs quantum well-dots based GaAs subcell with enhanced photocurrent for multijunction GaInP/GaAs/Ge solar cells», Semiconductor Science and Technology, v.32, 1, 2017 ArtNo: #015006, Online ISSN: 1361-6641, Print ISSN: 0268-1242.

15. M.Z.Shvarts, E.D.Filimonov, S.A.Kozhukhovskaia, M.A.Mintairov, N.Kh.Timoshina, V.M.Andreev "Current Mismatch Violation in Concentrator Multijunction Solar Cells”, Proceedings of the 13th International Conference on Concentrating Photovoltaics (CPV-13), 01-03 May 2017, Ottawa, Canada, AIP Conf. Proceedings, v.1881, 2017, pp. 040006, ISSN: 0094-243X, E-ISSN: 1551-7616.

16. G.G.Untila, T.N.Kost, A.B.Chebotareva, S.N.Salazkin, V.V.Shaposhnikova, М.Z.Shvarts “Concentrator Bifacial Crystalline Silicon Solar Cells with Multi-wire Metallization Attached to TCO Layers Using Transparent Conductive Polymers”, Proceedings of the 13th International Conference on Concentrating Photovoltaics (CPV-13), 01-03 May 2017, Ottawa, Canada, AIP Conf. Proceedings, v.1881, 2017, pp. 040008, ISSN: 0094-243X, E-ISSN: 1551-7616.

17. Д.В. Лебедев, А.М. Минтаиров, А.С. Власов, В.Ю. Давыдов, М.М. Кулагина, С.И. Трошков, А.А. Богданов, А.Н. Смирнов, A. Gocalinska, G. Juska, E. Pelucchi, J. Kapaldo, S. Rouvimov, J.L. Merz «Лазерная генерация в микродисках с активной областью на основе решеточно-согласованных InP/AlInAs наноструктур», ЖТФ, т.87, вып. 7, 2017, стр. 1066-1070, ISSN: 0044-4642. Перевод: D. V. Lebedev, A. M. Mintairov, A. S. Vlasov, V. Yu. Davydov, M. M. Kulagina, S. I. Troshkov, A. A. Bogdanov, A. N. Smirnov, A. Gocalinska, G. Juska, E. Pelucchi, J. Kapaldo, S. Rouvimov, and J. L. Merz «Lasing in Microdisks with an Active Region Based on Lattice-Matched InP/AlInAs Nanostructures», Tech. Phys., v. 62, № 7, pp. 1082-1086, 2017, ISSN: 1063-7842.

18. D. V. Lebedev, M. M. Kulagina, S. I. Troshkov, A. S. Vlasov, V. Y. Davydov, A. N. Smirnov, A. A. Bogdanov, J. L. Merz, J. Kapaldo, A. Gocalinska, G. Juska, S. T. Moroni, E. Pelucchi, D. Barettin, S. Rouvimov, and A. M.Mintairov «Excitonic lasing of strain-free InP(As) quantum dots in AlInAs microdisk», Appl. Phys. Lett. 110, 12, 121101 (2017)

19. A. M. Mintairov, J. Kapaldo, J. L. Merz, A. S. Vlasov, and S. A. Blundell «Wigner molecules and charged excitons in near-field magnetophotoluminescence spectra of self-organized InP/GaInP quantum dots», Physical Review B 95, 115442 (2017)

20. A.S. Vlasov, L.B. Karlina, B.Y. Ber, F.E. Komissarenko, D.Yu. Kazantsev, N.Kh. Timoshina, M.M. Kulagina, A.B. Smirnov “On the effect of In, P surfactants on the GaAs PV cell formation”, 33rd European PV Solar Energy Conference and Exhibition, 25-29 September 2017, Amsterdam, The Netherlands, pp. 90-92, ISBN: 3-936338-47-7.

21. M.A. Mintairov, V.V. Evstropov, S.A. Mintairov, M.Z. Shvarts, S.A. Kozhukhovskaia, N.A. Kalyuzhnyy “Counteracting Photovoltaic Effect in Multi-Junction Solar Cells”, 33rd European PV Solar Energy Conference and Exhibition, 25-29 September 2017, Amsterdam, The Netherlands, pp. 1275-1277, ISBN: 3-936338-47-7.

22. S.A.Kozhukhovskaia, E.D.Filimonov, M Z Shvarts “Optical leakage versus luminescent coupling in a multijunction solar cell: how to recognize a source of additional photocurrent in subcells”, Journal of Physics: Conference Series, v. 816 (2017) 012040 pp.1-4, ISSN: 1742-6596.

23. R.A.Salii, N.A.Kalyuzhnyy, N.V.Kryzhanovskaya, M.V.Maximov, S.A.Mintairov, A.M.Nadtochiy, V.N.Nevedomskiy, A.E.Zhukov “InAs quantum dots grown by MOCVD in GaAs and metamorphic InGaAs matrixes”, Journal of Physics: Conference Series, v. 816 (2017) 012024 pp.1-5, ISSN: 1742-6596.

24. V.M. Emelyanov, E.D. Filimonov, S.A. Kozhuhovskaia, M.Z. Shvarts “Photovoltaic optical sensors for high-power conversion and information transmission” 2017, Proc. of the SPIE Optics and Optoelectronics, Prague v.10231, pp. 102311B, ISSN: 0277-786X ISBN: 978-1-5106-0963-1.

25. E.D. Filimonov, S.A Kozhukhovskaia, and M.Z. Shvarts “About significance of absolute photocurrent values determination during the solar cell external quantum efficiency measurements”, Journal of Physics: Conference Series, v. 917 (2017) 052026 pp.1-5, ISSN: 1742-6596.

26. A.M.Nadtochiy, M.V.Maximov, S.A.Mintairov, N.A.Kalyuzhnyy, S.Rouvimov and A.E.Zhukov “InGaAs/GaAs hybrid quantum well-dot nanostructures: Impact of substrate orientation and recombination mechanisms”, Journal of Physics: Conference Series, v. 917 (2017) 032001 pp.1-6, ISSN: 1742-6596.

27. M.A.Mintairov, V.V.Evstropov, S.A.Mintairov, M.Z.Shvarts, S.A.Kozhukhovskaia & N.A.Kalyuzhnyy “Manifestation of counteracting photovoltaic effect on IV characteristics in multi-junction solar cells”, Journal of Physics: Conference Series, v. 917 (2017) 052034 pp.1-6, ISSN: 1742-6596.

28. В.М.Андреев, Д.Ф.Зайцев, Н.Ю.Новиков, В.С.Калиновский, Д.В.Мордасов, С.О.Слипченко, И.С.Тарасов, А.И.Фадеев «Макет фрагмента РОФАР с энергонезависимой передающей антенной и мощным широкополосным трактом, работающим в режиме класса В», «Радиотехника», № 8, 2017, стр. 72-77, ISSN 0033-8486.