2021

 

 

1. А.В.Андреева, Н.Ю.Давидюк, Д.А.Малевский, П.В.Покровский, Н.А.Садчиков, А.В.Чекалин «Измерение тепловых характеристик фотоэлектрических концентраторных модулей», ЖТФ, т. 91, вып. 2, стр. 291-298, 2021.
Перевод: A.V.Andreeva, N.Yu.Davidyuk, D.A.Malevskii, P.V.Pokrovskii, N.A.Sadchikov, A.V.Chekalin “Measurement of the Thermal Characteristics of Concentrator Photovoltaic Modules”, Technical Physics, Vol. 66, No. 2, pp. 280-287, 2021.

2. А.В. Малевская, Ю.М. Задиранов, Д.А. Малевский, П.В. Покровский, В.М. Андреев “Плазмо-химическое и жидкостное травление в постростовой технологии каскадных солнечных элементов”, ПЖТФ, т. 47, вып. 3, стр. 14-17, 2021.
Перевод: A.V.Malevskaya, Yu.M.Zadiranov, D.A.Malevskii, P.V.Pokrovskii, N.D.Il’inskaya, V. M. Andreev “Plasmachemical and Wet Etching in the Postgrowth Technology of Solar Cells Based on the GaInP/GaInAs/Ge Heterostructure”, Technical Physics Letters, 2021, Vol. 47, No. 2, pp. 114-117.

3. Д.А. Малевский, А.В. Малевская, П.В. Покровский, В.М. Андреев «Динамика влажности воздуха в концентраторном фотоэлектрическом модуле с устройством осушения», ПЖТФ, т. 47, вып. 4, стр. 52-54, 2021.
Перевод: D.A.Malevskii, A.V.Malevskaya, P.V.Pokrovskii, V.M.Andreev “Dynamics of Air Humidity in a Concentrator Photovoltaic Module with a Drying Device”, Technical Physics Letters, 2021, Vol. 47, No. 2, pp. 208-210.

4. С.А.Минтаиров, М.В.Нахимович, Р.А.Салий, М.З.Шварц, Н.А.Калюжный «Увеличение коэффициента полезного действия фотопреобразователей лазерного излучения диапазона 520−540 nm на основе гетероструктур GaInP/GaAs», ПЖТФ, т. 47, вып. 6, стр. 29-31, 2021.

5. Ю.М.Шерняков, Н.Ю.Гордеев, А.С.Паюсов, А.А.Серин, Г.О.Корнышо, А.М.Надточий, М.М.Кулагина, С.А.Минтаиров, Н.А.Калюжный, М.В.Максимов, А.Е.Жуков «Влияние конструкции активной области и волновода на характеристики лазеров на основе структур квантовые ямы-точки InGaAs/GaAs», ФТП, т. 55, вып. 3, стр. 256-263, 2021.
Перевод: Yu.M.Shernyakov, N.Yu.Gordeev, A.S.Payusov, A.A.Serin, G.O.Kornyshov, A.M.Nadtochiy, M.M.Kulagina, S.A.Mintairov, N.A.Kalyuzhnyy, M.V.Maximov, A.E.Zhukov «Effect of the Active Region and Waveguide Design on the Performance of Edge-Emitting Lasers Based on InGaAs/GaAs Quantum Well-Dots», Semiconductors, 2021, Vol. 55, No. 3, pp. 333-340

6. A.A.Kharchenko, A.M.Nadtochiy, S.A.Mintairov, Y.M.Shernyakov, A.A.Serin, N.Y.Gordeev, M.V.Maximov, A.E. Zhukov «Study of waveguide absorption in InGaAs "quantum well-dots" heterostructures», Nano-Structures & Nano-Objects, 25 (2021) рр. 100628

7. A.Panchak, V.Khvostikov, P.Pokrovskiy «AlGaAs gradient waveguides for vertical p/n junction GaAs laser power converters», Optics & Laser Technology 136 (2021) рр. 106735

8. А.В. Чекалин, А.В. Андреева, Н.Ю. Давидюк, Н.С. Потапович, Н.А. Садчиков, В.М. Андреев, Д.А. Малевский «Высокоэффективные фотоэлектрические модули с концентраторами солнечного излучения», ЖТФ, т. 91, вып. 6, стр. 913-919, 2021. Перевод:

9. A.M.Mintairov, A.V.Ankundinov, N.A.Kalyuzhnyy, D.V.Lebedev, S.A.Mintairov, N.V.Pavlov, A.I.Galimov, M.V.Rakhlin, R.A.Salii, A.A.Toropov, A.S.Vlasov, D.Barettin, M.Auf der Maur, S.A.Blundell «Piezo-electric fields and state-filling photoluminescence in natural InP/GaInP2 Wigner molecule structures», Applied Physics Letters 118, 121101 (2021)

10. A.Mintairov, D.Lebedev, A.Vlasov, A.Bogdanov, Sh.Ramezanpour, S.Blundell «Fractional Charge States in the Magneto-Photoluminescence Spectra of Single-Electron InP/GaInP2 Quantum Dots», Nanomaterials 2021, 11, 493.

11. Д.Ф.Зайцев, В.М.Андреев, И.А.Биленко, А.А.Березовский, П.Ю.Владиславский, Ю.Б.Гурфинкель, Л.И.Цветкова, В.С.Калиновский, Н.М.Кондратьев, В.Н.Косолобов, В.Ф.Курочкин, С.О.Слипченко, Н.В.Смирнов, Б.В.Яковлев «Первая радиофотонная фазированная антенная решетка», 2021, Радиотехника, т.85, 4 стр. 153-164.

12. В.С. Калиновский, Е.В. Контрош, Е.А. Гребенщикова, В.М. Андреев «Архитектура мезы и эффективность InGaP/Ga(In)As/Ge солнечных элементов», ЖТФ, т. 91, вып. 7, стр. 1067-1074, 2021.
Перевод: V.S.Kalinovsky, E.V.Kontrosh, E.A.Grebenshchikova, V.M.Andreev “Mesa Architecture and Efficiency of InGaP/Ga(In)As/Ge Solar Cells”, Technical Physics, 2021, Vol. 66, No. 7, pp. 1039-1046.

13. А.В. Малевская, Н.А. Калюжный, Д.А. Малевский, С.А. Минтаиров, Р.А. Салий, А.Н. Паньчак, П.В. Покровский, Н.С. Потапович, В.М. Андреев «Влияние внутренних отражателей на эффективность инфракрасных (850 нм) светодиодов», ФТП, т. 55, вып. 7, стр. 614-617, 2021.

14. А.Е. Жуков, Э.И. Моисеев, А.М. Надточий, А.C. Драгунова, Н.В. Крыжановская, М.М. Кулагина, С.А. Минтаиров, Н.А. Калюжный, Ф.И. Зубов, М.В. Максимов «Энергопотребление при высокочастотной модуляции неохлаждаемого InGaAs/GaAs/AlGaAs-микродискового лазера», ПЖТФ, т. 47, вып. 13, стр. 28-31, 2021.

15. А.В. Уваров, А.И. Баранов, Е.А. Вячеславова, Н.А. Калюжный, Д.А. Кудряшов, А.А. Максимова, И.А. Морозов, С.А. Минтаиров, Р.А. Салий, А.С. Гудовских «Формирование гетероструктур GaP/Si-фотопреобразователей с помощью комбинации методов МОС-гидридной эпитаксии и атомно-слоевого плазмохимического осаждения», ПЖТФ, т. 47, вып. 14, стр. 51-54, 2021.

16. E.V.Kontrosh, V.S.Kalinovskii, G.V.Klimko, N.V.Vaulin, B Ya Ber “Characteristics of double-cascade photodiodes based on p-i-n AlGaAs/GaAs diodes connected by n++-GaAs/i-GaAs/i-AlGaAs/p++-AlGaAs tunnel diodes”, Journal of Physics: Conference Series, vol. 1851, pp. 012021, 2021.

17. K.M.Afanasev, A.S.Vlasov, D.V.Lebedev, M.V.Rakhlin, A.I.Galimov, A.A.Toropov, N.Bert, V.N.Nevedomskiy, S.A.Mintairov, N.A.Kalyuzhnyy, R.A.Saly, A.M.Mintairov “Near-field magneto-photoluminescence of GaAs/AlGaAs/InP/GaInP2 quantum well-quantum dot structures”, Journal of Physics: Conference Series, vol. 1851, pp. 012015, 2021.

18. А.В.Малевская, Н.А.Калюжный, Д.А.Малевский, С.А.Минтаиров, А.М.Надточий, М.В.Нахимович, Ф.Ю.Солдатенков, М.З.Шварц, В.М.Андреев “Инфракрасные (850 нм) светодиоды с множественными квантовыми ямами InGaAs и “тыльным” отражателем”, ФТП, т. 55, вып. 8, стр. 699-703, 2021.

19. V.P.Khvostikov, Ya.V.Grachev, A.S.Vlasov, O.A.Khvostikova, S.V.Sorokina «Reducing optical losses in thermophotovoltaic systems», Journal of Power Sources 501 (2021) 229972.

20. Е.А.Ионова, Н.Ю.Давидюк, Н.А.Садчиков, А.В.Андреева «Исследование концентраторных фотоэлектрических модулей с каскадными солнечными элементами», ЖТФ, т. 91, вып. 9, стр. 1419-1426, 2021.

21. М.А. Минтаиров, В.В. Евстропов, С.А. Минтаиров, М.В. Нахимович, Р.А. Салий, М.З. Шварц, Н.А. Калюжный «Увеличение эффективности трехпереходных солнечных элементов за счет метаморфного InGaAs-субэлемента», ПЖТФ, т. 47, вып. 18, стр. 51-54, 2021.

22. M.Kuzmin, J.-P.Lehtiö, Z.J.Rad, S.V.Sorokina, M.P.J.Punkkinen, P.Laukkanen, K.Kokko «Atomic and electronic structures of Si/Ge(100) interfaces studied by high-resolution photoelectron spectroscopy and scanning tunneling microscopy», Physical Review B 103, 195312 (2021)

23. Р.В. Левин, А.С. Власов, Б.В. Пушный «Легированный кремнием GaSb выращенный методом ГФЭМОС в широком диапазоне соотношений V/III», ФТП, т. 55, вып. 10, стр. 932-936, 2021.

24. В.П. Хвостиков, С.В. Сорокина, О.А. Хвостикова, М.В. Нахимович, М.З. Шварц «Термофотоэлектрические GaSb-преобразователи излучения инфракрасных селективных эмиттеров», ФТП, т. 55, вып. 10, стр. 956-959, 2021.

25. Ф.И. Зубов, М.В. Максимов, Н.В. Крыжановская, Э.И. Моисеев, А.М. Надточий, А.C. Драгунова, С.А. Блохин, А.А. Воробьев, А.М. Можаров, С.А. Минтаиров, Н.А. Калюжный, А.Е. Жуков «Увеличение оптической мощности микродисковых лазеров InGaAs/GaAs, перенесенных на кремниевую подложку методом термокомпрессии», ПЖТФ, т. 47, вып. 20, стр. 3-6, 2021.

26. Р.А.Салий, М.А.Минтаиров, С.А.Минтаиров, М.В.Нахимович, М.З.Шварц, Н.А.Калюжный «Исследование фотоэлектрических характеристик GaAs фотопреобразователей при различном расположении InGaAs массива квантовых точек в i-области», ПЖТФ, т. 47, вып. 21, стр. 28-31, 2021.

27. А.Е. Маричев, В.С. Эполетов, А.С. Власов, Б.В. Пушный, А.И. Лихачев, А.В. Нащекин «Замена туннельных переходов в InP на каналы проводимости с кристаллитами GaP», ПЖТФ, т. 47, вып. 22, стр. 52-54, 2021.

28. А.В. Малевская, Н.Д. Ильинская, Н.А. Калюжный, Д.А. Малевский, Ю.М. Задиранов, П.В. Покровский, А.А. Блохин, А.В. Андреева «Исследование методов текстурирования светодиодов на основе гетероструктур AlGaAs/GaAs», ФТП, т. 55, вып. 11, стр. 1086-1090, 2021.

29. Н.С.Потапович, М.В. Нахимович, В.П. Хвостиков "Фотоэлектрические преобразователи узкополосного излучения на основе гетероструктур InGaAsP/InP", ФТП, т. 55, вып. 11, стр. 1091-1094, 2021.

30. А.В. Малевская, Н.А. Калюжный, С.А. Минтаиров, Р.А. Салий, Д.А. Малевский, М.В. Нахимович, В.Р. Ларионов, П.В.Покровский, М.З. Шварц, В.М. Андреев «Высокоэффективные (EQE = 37.5%) инфракрасные (850 нм) светодиоды с брегговским и зеркальным отражателями», ФТП, т. 55, вып. 12, стр. 1218-1222, 2021.

31. V.M.Emelyanov, S.A.Levina, N.A.Kalyuzhnyy, S.A.Mintairov, M.V.Nakhimovich, M.Z.Shvarts “Temperature dependencies of the refractive index for Al-Ga-In-As metamorphic layers”, Optics Letters, Vol. 46, No. 19, pp. 4928-4931.

32. R.A.Salii, M.A.Mintairov, S.A.Mintairov, M.V.Nakhimovich, M.Z.Shvarts, N.A.Kalyuzhnyy, «Influence of QD array positioning in GaAs solar cell p-n junction on their photoelectric characteristics» J. Phys.: Conf. Ser., v.2103, рр. 012192, 2021.

33. S.A.Levina, V.M.Emelyanov, M.A.Mintairov, M.V.Nakhimovich, M.Z.Shvarts «Multijunction solar cell spectral response determination at radiation damage study », 2021, Journal of Physics: Conference Series v.2103, p.012180.

34. K.K. Prudchenko, I.A. Tolkachev, E.A. Silantieva, E.V. Kontrosh. “Investigation of the characteristics of a radioisotope source based on a (Y)PO4/(238Pu) self-glowing crystal and an AlxGa1- xAs/GaAs photovoltaic converter”. J. Phys.: Conf. Ser. vol.2103, 012195 (2021).

35. E.V. Kontrosh, G.V. Klimko, V.S. Kalinovskii, V.S. Yuferev, N.V. Vaulin, B.Ya. Ber. “Current—voltage characteristics of connecting tunnel diodes at temperature heating up to 80°C”. J. Phys.: Conf. Ser. vol.2103, pp. 012194 (2021)

36. L.V. Kontrosh, V.S. Kalinovsky, A.V. Khramov, E.V. Kontrosh. “Estimation of the chemical materials volumes required for the post-growth technology manufacturing InGaP/GaAs/Ge with a concentrator and planar α–Si:H/Si solar cells for 1 MW solar power plants”, Cleaner Engineering and Technology, vol. 4, 100186 (2021).

37. F.Zubov, M.Maximov, E.Moiseev, A.Vorobyev, A.Mozharov, Y.Berdnikov, N.Kaluzhnyy, S.Mintairov, M.Kulagina, N.Kryzhanovskaya, A.Zhukov, “Improved performance of InGaAs/GaAs microdisk lasers epi-side down bonded onto a silicon board”, 2021, Opt. Lett., v.46, 16, pp. 3853-3856.

38. A.M.Nadtochiy, N.Y.Gordeev, A.A.Kharchenko, S.A.Mintairov, N.A.Kalyuzhnyy, Y.M.Shernyakov, M.V.Maximov, A.E.Zhukov, Y.Berdnikov, “Saturated layer gain in waveguides with InGaAs quantum well-dot heterostructures”, Journal of Lightwave Technology, vol. 39, no. 23, pp. 7479-7485