2018

 

 

1. А.М.Надточий, С.А.Минтаиров, Н.А.Калюжный, С.C.Рувимов, В.Н.Неведомский, М.В.Максимов, А.Е.Жуков «Бимодальность в массивах гибридных квантово-размерных гетероструктур In0.4Ga0.6As, выращенных на подложках GaAs», ФТП, т. 52, вып. 1, 2018, стр. 57-62, ISSN: 0015-3222. Перевод: A. M. Nadtochiy, S. A. Mintairov, N. A. Kalyuzhnyy, S. S. Rouvimov, V. N. Nevedomskii, M. V. Maximov, A. E. Zhukov «Bimodality in Arrays of In0.4Ga0.6As Hybrid Quantum-Confined Heterostructures Grown on GaAs Substrates», Semiconductors, v.52, Issue 1, pp.53-58, 2018, ISSN: 1063-7826

2. М.Е. Бойко, М.Д. Шарков, Л.Б. Карлина, А.М. Бойко, С.Г. Конников «Изучение сверхструктуры в сильно легированном пористом фосфиде индия рентгеновскими методами», ФТП, т. 52, вып. 1, 2018, стр. 89-92, ISSN: 0015-3222. Перевод: M.E.Boiko, M.D.Sharkov, L.B.Karlina, A.M.Boiko, and S.G.Konnikov «X-Ray Study of the Superstructure in Heavily Doped Porous Indium Phosphide», Semiconductors, v.52, Issue 1, pp.84-87, 2018, ISSN: 1063-7826

3. М.М. Соболев, Ф.Ю. Солдатенков «Влияние глубоких уровней дислокаций в гетероэпитаксиальных InGaAs/GaAs и GaAsSb/GaAs p?i?n-структурах на время релаксации неравновесных носителей», ФТП, т. 52, вып. 2, 2018, стр. 177-183, ISSN: 0015-3222. Перевод: M.M.Sobolev and F.Yu.Soldatenkov «Effect of Dislocation-related Deep Levels in Heteroepitaxial InGaAs/GaAs and GaAsSb/GaAs p–i–n Structures on the Relaxation time of Nonequilibrium Carriers», Semiconductors, v.52, Issue 2, pp.165-171, 2018, ISSN: 1063-7826

4. В.П. Хвостиков, С.В. Сорокина, Н.С. Потапович, О.А. Хвостикова, Н.Х. Тимошина, М.З. Шварц «Модификация фотоэлектрических преобразователей лазерного излучения (? = 808 нм), получaемых методом жидкофазной эпитаксии», ФТП, т. 52, вып. 3, 2018, стр. 385-389, ISSN: 0015-3222. Перевод: V. P. Khvostikov, S. V. Sorokina, N. S. Potapovich, O. A. Khvostikova, N. Kh. Timoshina, and M. Z. Shvarts «Modification of Photovoltaic Laser-Power (? = 808 nm) Converters Grown by LPE», Semiconductors, v.52, Issue 3, pp.366-370, 2018, ISSN: 1063-7826

5. А.В. Андреева, Н.Ю. Давидюк, Д.А. Малевский, А.Н. Паньчак, Н.А. Садчиков, А.В. Чекалин «Влияние условий теплоотвода на характеристики концентраторных фотоэлектрических модулей», ФТП, т. 52, вып. 3, 2018, стр. 390-394, ISSN: 0015-3222. Перевод: A. V. Andreeva, N. Yu. Davidyuk, D. A. Malevskiy, A. N. Panchak, N. A. Sadchikov, and A. V. Chekalin «Influence of Heat Dissipation Conditions on the Characteristics of Concentrator Photoelectric Modules», Semiconductors, v.52, Issue 3, pp.371-375, 2018, ISSN: 1063-7826

6. A.L. Glazov, V.S. Kalinovskii, K.L. Muratikov “Heat transfer through soldered and bonded joints of multilayer semiconductor devices studied by laser photothermal beam-deflection method”, International Journal of Heat and Mass Transfer, 120 (2018) 870–878.

7. D.V.Lebedev, N.A.Kalyuzhnyy, S.A.Mintairov, K.G. Belyaev, M.V. Rakhlin, A.A. Toropov, P.Brunkov, A.S. Vlasov, J. Merz, S. Rouvimov, S. Oktyabrsky, M. Yakimov, I.V.Mukhin, A.V.Shelaev, V.A.Bykov, A.Yu.Romanova, P.A.Buryak, A.M.Mintairov «Density control of InP/GaInP quantum dots grown by metal-organic vapor-phase epitaxy», ФТП, т. 52, вып. 4, 2018, стр. 477, ISSN: 0015-3222 / Semiconductors, v.52, Issue 4, pp.497-501, 2018, ISSN: 1063-7826

8. A.M.Mintairov, J.L.Merz, J.Kapaldo, A.S.Vlasov, S.A.Blundell «Wigner localization and whispering gallery modes of electrons in quantum dots», ФТП, т. 52, вып. 4, 2018, стр. 478, ISSN: 0015-3222. / Semiconductors, v.52, Issue 4, pp.502-506, 2018, ISSN: 1063-7826

9. M. M. Sobolev, F. Yu. Soldatenkov, and I. L. Shul'pina «Misfit dislocation–related deep levels in InGaAs/GaAs and GaAsSb/GaAs p–i–n heterostructures and the effect of these on the relaxation time of nonequilibrium carriers», Journal of Applied Physics 123, 161588 (2018)

10. V.E.Terentiev, S.G.Artamokhin, N.A.Pikhtin and M.Z.Shvarts «Modeling the complex delivery of electric energy by optical channel to dynamic electromechanical transformer», International Journal of Mechanical Engineering and Technology (IJMET), Volume 9, Issue 2, February 2018, pp. 765–774, ISSN Print: 0976-6340 and ISSN Online: 0976-6359.

11. А.В. Малевская, В.С. Калиновский, Н.Д. Ильинская, Д.А. Малевский, Е.В. Контрош, М.З. Шварц, В.М. Андреев «Влияние структуры омических контактов на характеристики GaAs/AlGaAs фотоэлектрических преобразователей», ЖТФ, т.88, вып. 8, 2018, стр. 1211-1215. Перевод: A.V.Malevskaya, V.S.Kalinovskii, N.D.Il’inskaya, D.A.Malevskii, E.V.Kontrosh, M.Z.Shvarts, V.M.Andreev “Influence of the Ohmic Contact Structure on the Performance of GaAs/AlGaAs Photovoltaic Converters”, Tech. Phys., v.63, № 8, pp. 1177-1181, 2018, ISSN: 1063-7842.

12. Н.А.Паханов, В.М.Андреев, М.З.Шварц, О.П.Пчеляков «Современные архитектуры и технологии высокоэффективных солнечных элементов на гетероструктурах III-V для космического применения», Автометрия, 2018, т. 54, № 2, стр. 93-112. Перевод: N. A. Pakhanov, V. M. Andreev, M. Z. Shvarts, and O. P. Pchelyakov «State-of-the-art Architectures and Technologies of High-Efficiency Solar Cells Based on III–V Heterostructures for Space and Terrestrial Applications», Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing, 2018, Vol. 54, No. 2, pp. 187–202, ISSN 8756-6990.

13. V.S.Kalinovskiy, E.V.Kontrosh, G.A.Gusev, A.N.Sumarokov, G.V.Klimko, S.V.Ivanov, V.S.Yuferev, T.S.Tabarov, V.M.Andreev «Study of PV characteristics of AlxGa1-xAs/GaAs photodiodes», Journal of Physics: Conference Series, v. 993 (2018) pp.012029, ISSN: 1742-6596.

14. A.E.Marichev, R.V.Levin, N.M.Lebedeva, N.D.Prasolov, E.V.Kontrosh “New connecting elements for cascade photoelectric converters based on InP”, Journal of Physics: Conference Series, v. 993 (2018) pp.012039, ISSN: 1742-6596.

15. A.V.Chekalin, V.M.Andreev, Yu.V.Ascheulov, Yu.S.Chumakov, S.O.Kognovitski, and V.A.Linnas “Comparative Analysis of Aerodynamic Properties for Different Types of Solar Trackers”, Proceedings of the 14th International Conference on Concentrating Photovoltaics (CPV-14), 16-18 April 2018, Puertollano, Spain, AIP Conf. Proceedings, v.2012, 2018, pp. 050002, ISSN: 0094-243X, E-ISSN: 1551-7616.

16. M.Z.Shvarts, A.S.Gudovskikh, N.A.Kalyuzhnyy, S.A.Mintairov, M.A.Mintairov, M.V.Nakhimovich, V.M.Emelyanov “Current Localization in Heterostructures of Multijunction Solar Cells: Causes for Arising and Diagnostics Potential”, Proceedings of the 14th International Conference on Concentrating Photovoltaics (CPV-14), 16-18 April 2018, Puertollano, Spain, AIP Conf. Proceedings, v.2012, 2018, pp. 040010, ISSN: 0094-243X, E-ISSN: 1551-7616.

17. E.D.Filimonov, S.A.Levina and M.Z.Shvarts “Experimental Equipment for Optical Characterization of Fresnel Lens Concentrators”, Proceedings of the 14th International Conference on Concentrating Photovoltaics (CPV-14), 16-18 April 2018, Puertollano, Spain, AIP Conf. Proceedings, v.2012, 2018, pp. 030005, ISSN: 0094-243X, E-ISSN: 1551-7616.

18. N.A.Kalyuzhnyy, V.M.Emelyanov, S.A.Mintairov, M.Z.Shvarts “InGaAs metamorphic laser (?=1064 nm) power converters with over 44% efficiency”, Proceedings of the 14th International Conference on Concentrating Photovoltaics (CPV-14), 16-18 April 2018, Puertollano, Spain, AIP Conf. Proceedings, v2012, 2018, pp. 110002, ISSN: 0094-243X, E-ISSN: 1551-7616.

19. N.Kalyuzhnyy, S.Mintairov, M.Shvarts, N.Potapovich, S.Sorokina, and V.Khvostikov “InGaAs/GaAs Receiver for Infrared (?=1064 nm) Laser Power Conversion”, Proceedings of the 14th International Conference on Concentrating Photovoltaics (CPV-14), 16-18 April 2018, Puertollano, Spain, AIP Conf. Proceedings, v.2012, 2018, pp. 110003, ISSN: 0094-243X, E-ISSN: 1551-7616.

20. A.V.Chekalin, A.V.Andreeva, N.Yu.Davidyuk, N.A.Sadchikov, D.A.Malevskiy and P.V.Pokrovskiy “Investigation of Solar Cell Overheating under Radiation of Ultrahigh Intensity”, Proceedings of the 14th International Conference on Concentrating Photovoltaics (CPV-14), 16-18 April 2018, Puertollano, Spain, AIP Conf. Proceedings, v.2012, 2018, pp. 040001, ISSN: 0094-243X, E-ISSN: 1551-7616.

21. G.Untila, T.Kost, A.Chebotareva, М.Shvarts “Low Concentration In2O3:F/(n+pp+)Cz-Si/Al Solar Cells with Screen-Printed BSF and Ag-free Multi-wire Metallization Attached Using Transparent Conductive Polymers”, Proceedings of the 14th International Conference on Concentrating Photovoltaics (CPV-14), 16-18 April 2018, Puertollano, Spain, AIP Conf. Proceedings, v.2012, 2018, pp. 040012, ISSN: 0094-243X, E-ISSN: 1551-7616.

22. S.A.Levina, E.D.Filimonov, M.A.Mintairov and M.Z.Shvarts “Multijunction Solar Cells with Pronounced Optical Coupling: Single Wavelength Laser Biasing Approach at Quantum Efficiency Measurements”, Proceedings of the 14th International Conference on Concentrating Photovoltaics (CPV-14), 16-18 April 2018, Puertollano, Spain, AIP Conf. Proceedings, v.2012, 2018, pp. 100003, ISSN: 0094-243X, E-ISSN: 1551-7616.

23. V.M.Emelyanov, M.A.Mintairov, N.A.Kalyuzhnyy, S.A.Mintairov and M.Z.Shvarts “Optical and Electrical Properties of Superlattice and Photonic Metamorphic Structures for High-Performance Solar Cells”, Proceedings of the 14th International Conference on Concentrating Photovoltaics (CPV-14), 16-18 April 2018, Puertollano, Spain, AIP Conf. Proceedings, v.2012, 2018, pp. 090003, ISSN: 0094-243X, E-ISSN: 1551-7616.

24. V.M.Emelyanov, E.S.Aronova, M.V.Nakhimovich and M.Z.Shvarts “Output Energy Predictions for Hybrid Concentrator III-V / Planar Thin-Film Modules”, Proceedings of the 14th International Conference on Concentrating Photovoltaics (CPV-14), 16-18 April 2018, Puertollano, Spain, AIP Conf. Proceedings, v.2012, 2018, pp. 080005, ISSN: 0094-243X, E-ISSN: 1551-7616.

25. A.N.Panchak, P.V.Pokrovskiy, V.R.Larionov, D.A.Malevskiy and M.Z.Shvarts “Output Parameters of Photovoltaic Cells at Ultrahigh Radiant Fluxes”, Proceedings of the 14th International Conference on Concentrating Photovoltaics (CPV-14), 16-18 April 2018, Puertollano, Spain, AIP Conf. Proceedings, v.2012, 2018, pp. 040009, ISSN: 0094-243X, E-ISSN: 1551-7616.

26. M.Mintairov, V.Evstropov, S.Mintairov, M.Shvarts and N.Kalyuzhnyy “Photoconverter Heating by Incident Radiation: Overheat Temperature and IV-curve Correction”, Proceedings of the 14th International Conference on Concentrating Photovoltaics (CPV-14), 16-18 April 2018, Puertollano, Spain, AIP Conf. Proceedings, v.2012, 2018, pp. 040007, ISSN: 0094-243X, E-ISSN: 1551-7616.

27. Р.А. Салий, И.С. Косарев, С.А. Минтаиров, А.М. Надточий, М.З. Шварц, Н.А. Калюжный «In0.8Ga0.2As квантовые точки для GaAs-фотопреобразователей: особенности роста, исследование методом металлорганической газофазной эпитаксии, и свойства», ФТП, т. 52, вып. 7, 2018, стр. 729-735, ISSN: 0015-3222. Перевод: R.A.Salii, I.S.Kosarev, S.A.Mintairov, A.M.Nadtochiy, M.Z.Shvarts, and N.A.Kalyuzhnyy “In0.8Ga0.2As Quantum Dots for GaAs Solar Cells: Metal-Organic Vapor-Phase Epitaxy Growth Peculiarities and Properties”, Semiconductors, v.52, Issue 7, pp.870-876, 2018, ISSN: 1063-7826

28. А.Е.Жуков, Н.Ю.Гордеев, Ю.М.Шерняков, А.С.Паюсов, А.А.Серин, М.М.Кулагина, С.А.Минтаиров, Н.А.Калюжный, М.В. Максимов «Мощностные характеристики и температурная зависимость угловой расходимости излучения лазеров с приповерхностной активной областью», ПЖТФ, т. 44, вып. 15, 2018, стр. 46-51. Перевод: A.E.Zhukov, N.Yu.Gordeev, Yu.M.Shernyakov, A.S.Payusov, A.A.Serin, M.M.Kulagina, S.A.Mintairov, N.A.Kalyuzhnyi, M.V.Maksimov «Power Characteristics and Temperature Dependence of the Angular Beam Divergence of Lasers with a Near-Surface Active Region», Technical Physics Letters, 2018, Vol. 44, No. 8, pp. 675-677, ISSN: 1063-7850.

29. В.С. Калиновский, Е.И. Теруков, Е.В. Контрош, В.Н. Вербицкий, A.С. Титов “Радиационная стойкость гетеропереходных солнечных элементов ?-Si :H/Si с тонким внутренним слоем i-?-Si :H”, ПЖТФ, т. 44, вып. 17, 2018, стр. 95-102. Перевод: V.S.Kalinovskii, E.I.Terukov, E.V.Kontrosh, V.N.Verbitskii, A.S.Titov “Radiation Resistance of ?-Si:H/Si Heterojunction Solar Cells with a Thin i-?-Si:H Inner Layer”, Technical Physics Letters, 2018, Vol. 44, No. 9, pp. 801-803, ISSN: 1063-7850.

30. В.П.Хвостиков, П.В.Покровский, О.А.Хвостикова, А.Н.Паньчак, В.М.Андреев, "Высокоэффективные AlGaAs/GaAs фотоэлектрические преобразователи с торцевым вводом лазерного излучения", ПЖТФ, т. 44, вып. 17, 2018, стр. 42-48. Перевод: V.P.Khvostikov, P.V.Pokrovskii, O.A.Khvostikova, A.N.Pan’chak, V.M.Andreev “High-Efficiency AlGaAs/GaAs Photovoltaic Converters with Edge Input of Laser Light”, Technical Physics Letters, 2018, Vol. 44, No. 9, pp. 776-778, ISSN: 1063-7850.

31. Н.С.Потапович, Н.Х.Тимошина, В.П.Хвостиков "Фотоэлектрические преобразователи лазерного излучения на основе гетероструктур InP(GaAs)/InP, полученные методом жидкофазной эпитаксии", ПЖТФ, т. 44, вып. 18, 2018, стр. 31-38. Перевод: N.S.Potapovich, N.Kh.Timoshina, V.P.Khvostikov «Photovoltaic Laser-Power Converters Based on LPE-Grown InP(GaAs)/InP Heterostructures», Technical Physics Letters, 2018, Vol. 44, No. 9, pp. 820-822, ISSN: 1063-7850.

32. А.В. Саченко, В.П. Костылев, А.В. Бобыль, В.Н. Власюк, И.О. Соколовский, Г.А.Коноплев, Е.И. Теруков, М.З. Шварц, М.А. Евстигнеев «Влияние толщины базы на эффективность фотопреобразования текстурированных солнечных элементов на основе кремния», ПЖТФ, т. 44, вып. 19, 2018, стр. 40-49. Перевод: A.V.Sachenko, V.P.Kostylyov, A.V.Bobyl, V.N.Vlasyuk, I.O.Sokolovskyi, G.A.Konoplev, E.I.Terukov, M.Z.Shvarts, M.Evstigneev «The Effect of Base Thickness on Photoconversion Efficiency in Textured Silicon-Based Solar Cells», Technical Physics Letters, 2018, Vol. 44, No. 10, pp. 873-876, ISSN: 1063-7850.

33. В.М.Емельянов, Н.А.Калюжный, С.А.Минтаиров, М.З.Шварц «Оптические свойства InGaAs/InAlAs метаморфных наногетероструктур для фотопреобразователей лазерного и солнечного излучения», ПЖТФ, т. 44, вып. 19, 2018, стр. 50-58. Перевод: V.M.Emel’yanov, N.A.Kalyuzhnyy, S.A.Mintairov, M.Z.Shvarts «Optical Properties of InGaAs/InAlAs Metamorphic Nanoheterostructures for Photovoltaic Converters of Laser and Solar Radiation», Technical Physics Letters, 2018, Vol. 44, No. 10, pp. 877-880, ISSN: 1063-7850.

34. В.М. Андреев, Н.Ю. Давидюк, Д.А. Малевский, П.В. Покровский, Н.А.Садчиков, А.В.Чекалин, А.В. Андреева «Тепловые характеристики высокоэффективных фотоэлектрических преобразователей мощного лазерного излучения», ПЖТФ, т. 44, вып. 21, 2018, стр. 105-110. Перевод: V.M.Andreev, N.Yu.Davidyuk, D.A.Malevskii, P.V.Pokrovskii, N.A.Sadchikov, A.V.Chekalin, A. V. Andreeva «Thermal Characteristics of High-Efficiency Photovoltaic Converters of High-Power Laser Light», Technical Physics Letters, 2018, Vol. 44, No. 11, pp. 999-1001, ISSN: 1063-7850.

35. M.A.Mintairov, V.V.Evstropov, S.A.Mintairov, M.Z.Shvarts and N.A.Kalyuzhnyy «Series spreading resistance in single- and multi-junction concentrator solar cells», Journal of Physics: Conference Series, v. 1038 (2018) pp.012105, ISSN: 1742-6596.

36. A.E.Marichev, R.V.Levin, N.D.Prasolov, E.V.Kontrosh, B.V.Pushniy, “Development of the technology of manufacturing connecting elements in cascade photodetectors”, Journal of Physics: Conference Series, v. 1038 (2018) pp.012107, ISSN: 1742-6596.

37. R.A.Salii, S.A.Mintairov, M.A.Mintairov, A.M.Nadtochiy, M.ZShvarts, and N.A.Kalyuzhnyy «The investigation of InGaAs quantum dot growth peculiarities for GaAs intermediate band solar cells», Journal of Physics: Conference Series, v. 1038 (2018) pp.012110, ISSN: 1742-6596.

38. I.S.Kosarev, A.M.Nadtochiy, R.A.Salii, N.A.Kalyuzhnyy «Investigation of multimodality effect in quantum dots InGaAs/GaAs grown by MOVPE», Journal of Physics: Conference Series, v. 1038 (2018) pp.012082, ISSN: 1742-6596.

39. S.A. Levina, E.D. Filimonov and M.Z. Shvarts, “Photon-coupled characteristic of a multijunction solar cell”, Journal of Physics: Conference Series, v. 1038 (2018) pp.012112, ISSN: 1742-6596.

40. Солдатенков Ф.Ю., Козлов В.А. Технология жидкофазной эпитаксии для выращивания многослойных гетероструктур силовой электроники на основе арсенида галлия. Наноиндустрия, № 9, стр. 266-272, 2018.

41. V.M. Emelyanov, N.A. Kalyuzhnyy, S.A. Mintairov and M.Z.Shvarts “Bragg reflectors for measuring optical parameters of layers of metamorphic InAlGaAs/GaAs heterostructures”, Optics Express, v.26, N18, pp. A832-A843 2018, ISSN: 1094-4087.

42. М.А.Минтаиров, В.В.Евстропов, С.А.Минтаиров, Р.А.Салий, М.З. Шварц, Н.А.Калюжный «Рекомбинация в GaAs p?i?n-структурах с InGaAs квантово-размерными объектами: моделирование и закономерности», ФТП, т. 52, вып. 10, 2018, стр. 1126-1130, ISSN: 0015-3222. Перевод: M.A.Mintairov, V.V.Evstropov, S.A.Mintairov, R.A.Salii, M.Z.Shvarts, N.A.Kalyuzhnyy «Recombination in GaAs p–i–n Structures with InGaAs Quantum-Confined Objects: Modeling and Regularities», Semiconductors, v.52, Issue 10, pp.1244-1248, 2018, ISSN: 1063-7826.

43. С.А.Минтаиров, Н.А.Калюжный, А.М.Надточий, М.В.Максимов, В.Н.Неведомский, Л.А.Сокура, С.С.Рувимов, М.З.Шварц, А.Е.Жуков «Многослойные InGaAs-гетероструктуры “квантовая яма-точки” в фотопреобразователях на основе GaAs», ФТП, т. 52, вып. 10, 2018, стр. 1131-1136, ISSN: 0015-3222. Перевод: S.A.Mintairov, N.A.Kalyuzhnyy, A.M.Nadtochiy, M.V.Maximov, V.N.Nevedomskiy, L.A.Sokura, S.S.Rouvimov, M.Z.Shvarts, A.E.Zhukov «Multilayer Quantum Well–Dot InGaAs Heterostructures in GaAs-based Photovoltaic Converters», Semiconductors, v.52, Issue 10, pp.1249-1254, 2018, ISSN: 1063-7826.

44. Л.Б.Карлина, А.С.Власов, И.П.Сошников, И.П.Смирнова, Б.Я.Бер, А.Б. Смирнов «Рост наноструктур в системе Ga(In)AsP?GaAs в квазиравновесных условиях», ФТП, т. 52, вып. 10, 2018, стр. 1244-1249, ISSN: 0015-3222. Перевод: L.B.Karlina, A.S.Vlasov, I.P.Soshnikov, I.P.Smirnova, B.Ya.Ber, A.B.Smirnov «Nanostructure Growth in the Ga(In)AsP–GaAs System under Quasi-Equilibrium Conditions», Semiconductors, v.52, Issue 10, pp.1363-1368, 2018, ISSN: 1063-7826.

45. A.M.Mintairov, J.Kapaldo, J.L.Merz, S.Rouvimov, D.V.Lebedev, N.A.Kalyuzhnyy, S.A.Mintairov, K.G.Belyaev, M.V.Rakhlin, A.A.Toropov, P.N.Brunkov, A.S.Vlasov, Yu.M.Zadiranov, S. A. Blundell, A.M.Mozharov, I.Mukhin, M.Yakimov, S.Oktyabrsky, A.V.Shelaev, V.A.Bykov «Control of Wigner localization and electron cavity effects in near-field emission spectra of In(Ga)P/GaInP quantum-dot structures», PHYSICAL REVIEW B 97, 195443 (2018).

46. M.V.Maximov, A.M.Nadtochiy, S.A.Mintairov, N.A.Kalyuzhnyy, N.Yu.Gordeev, A.S.Payusov, Yu.M.Shernyakov, N.V.Kryzhanovskaya, E.I.Moiseev, M.M.Kulagina, A.E.Zhukov «Edge-emitting and microdisk lasers based on hybrid quantum-well-dot structures», Proceedings - International Conference Laser Optics 2018, ICLO 2018, р.8435221, 2018 IEEE, ISBN: 978-1-5386-3612-1.

47. N.Yu.Gordeev, A.S.Payusov, Yu.M.Shernyakov, S.A.Mintairov, N.A.Kalyuzhnyy, M.M.Kulagina, A.A.Serin, M.V.Maximov, A.E.Zhukov « High-performance diode lasers based on coupledlarge-optical-cavity design», Proceedings - International Conference Laser Optics 2018, ICLO 2018, р.8435823, 2018 IEEE, ISBN: 978-1-5386-3612-1.

48. А.Е.Жуков, Н.Ю.Гордеев, Ю.М.Шерняков, А.С.Паюсов, А.А.Серин, М.М.Кулагина, С.А.Минтаиров, Н.А.Калюжный, М.В.Максимов «Снижение внутренних потерь и теплового сопротивления в лазерных диодах со связанными волноводами», ФТП, т. 52, вып. 11, 2018, стр. 1351-1356, ISSN: 0015-3222. Перевод: A.E.Zhukov, N.Yu.Gordeev, Yu.M.Shernyakov, A.S.Payusov, A.A.Serin, M.M.Kulagina, S.A.Mintairov, N.A.Kalyuzhnyy, and M.V.Maximov «Reduction of Internal Loss and Thermal Resistance in Diode Lasers with Coupled Waveguides», Semiconductors, v.52, Issue 11, pp.1462-1467, 2018, ISSN: 1063-7826.

49. В.С.Калиновский, Е.В.Контрош, Г.В.Климко, Т.С.Табаров, C.В.Иванов, В.М.Андреев «Влияние механизмов токопрохождения на эффективность AlxGa1-xAs/GaAs фотодиодов», ПЖТФ, т. 44, вып. 22, 2018, стр. 33-41. Перевод: V.S.Kalinovskii, E.V.Kontrosh, G.V.Klimko, T.S.Tabarov, S.V.Ivanov, V.M.Andreev “The Effect of Charge Transport Mechanisms on the Efficiency of AlxGa1–xAs/GaAS Photodiodes”, Technical Physics Letters, 2018, Vol. 44, No. 11, pp. 1013-1016, ISSN: 1063-7850.

50. С.А.Минтаиров, В.М.Емельянов, Н.А.Калюжный, В.М.Андреев «Просветление поверхности субэлемента на основе германия в каскадных GaInP/GaAs/Ge-солнечных элементах», ПЖТФ, т. 44, вып. 22, 2018, стр. 95-101. Перевод: S.A.Mintairov, V.M.Emel’yanov, N.A.Kalyuzhnyi, V. M. Andreev «An Antireflection Coating of a Germanium Subcell in GaInP/GaAs/Ge Solar Cells», Technical Physics Letters, 2018, Vol. 44, No. 11, pp. 1042-1044, ISSN: 1063-7850.

51. E.Moiseev, N.Kryzhanovskaya, M.Maximov, F.Zubov, A.Nadtochiy, M.Kulagina, Y.Zadiranov, N.Kalyuzhnyy, S.Mintairov, A.Zhukov «Highly efficient injection microdisk lasers based on quantum well-dots», Optics Letters, Vol. 43, No. 19, р.р. 4554-4557.

52. S.N.Vainshtein, G.Duan, V.A.Mikhnev, V.E.Zemlyakov, V.I.Egorkin, N.A.Kalyuzhnyy, N.A.Maleev, J.Napankangas, R.Blanco Sequeiros, J.T.Kostamovaara «Interferometrically enhanced sub-terahertz picosecond imaging utilizing a miniature collapsing-field-domain source», Appl. Phys. Lett. 112, 19, 191104 (2018)

53. A.M.Nadtochiy, M.V.Maximov, S.A.Mintairov, N.A.Kalyuzhnyy, V.N.Nevedomskiy, S.S.Rouvimov, Alexey E. Zhukov “Gradual Evolution From Quantum-Well-Like to Quantum-Dot-Like Characteristics in InGaAs/GaAs Nanostructures”, Phys. Status Solidi B-Basic Res., v.255, 9 ArtNo: #1800123, 2018

54. Р.В.Левин, А.Е.Маричев, Е.В.Контрош, Н.Д.Прасолов, В.С.Калиновский, Б.В.Пушный, “Изготовление и исследование коммутирующих p-n-переходов для каскадных фотопреобразователей”, ПЖТФ, т. 44, вып. 24, 2018, стр. 25-31. Перевод: R.V.Levin, A.E.Marichev, E.V.Kontrosh, N.D.Prasolov, V.S.Kalinovskii, B.V.Pushnyi «Manufacture and Study of Switch p–n-Junctions for Cascade Photovoltaic Cells», Technical Physics Letters, 2018, Vol. 44, No. 12, pp. 1130-1132, ISSN: 1063-7850.

55. В.П.Хвостиков, В.С.Калиновский, С.В.Сорокина, М.З.Шварц, Н.С.Потапович, О.А.Хвостикова, А.С.Власов, В.М.Андреев «Фотоэлектрические AlGaAs/GaAs-преобразователи излучения тритиевых радиолюминесцентных ламп», ФТП, т. 52, вып. 13, 2018, стр. 1647-1650. Перевод: V.P.Khvostikov, V.S.Kalinovskiy, S.V.Sorokina, M.Z.Shvarts, N.S.Potapovich, O.A.Khvostikova, A.S.Vlasov, V.M.Andreev «AlGaAs/GaAs Photovoltaic Converters of Tritium Radioluminescent-Lamp Radiation», Semiconductors, v.52, Issue 13, pp.1754-1757, 2018, ISSN: 1063-7826.

56. В.П. Хвостиков, С.В. Сорокина, Н.С. Потапович, Р.В. Левин, А.E. Маричев, Н.Х. Тимошина, Б.В. Пушный «Фотоэлектрические преобразователи лазерного излучения (? = 1064 нм) на основе GaInAsP/InP», ФТП, т. 52, вып. 13, 2018, стр. 1641-1646. Перевод: V.P. Khvostikov, S.V. Sorokina, N.S. Potapovich, R.V. Levin, A.E. Marichev, N.Kh. Timoshina, B.V. Pushnyi «Laser power converters (? = 1064 nm) based on GaInAsP/InP», Semiconductors, v.52, Issue 13, pp.1748-1753, 2018, ISSN: 1063-7826.

57. V.L.Berkovits, V.A.Kosobukin, V.P.Ulin, F.U.Soldatenkov, I.V.Makarenko, and V.S.Levitskii «Gold Nanoclusters at the Interface Au/GaAs(001): Preparation, Characterization, and Plasmonic Spectroscopy», Semiconductors, v.52, Issue 14, pp.1849-1852, 2018, ISSN: 1063-7826

58. A.S.Payusov, N.Yu.Gordeev, A.A.Serin, M.M.Kulagina, N.A.Kalyuzhnyy, S.A.Mintairov, M.V.Maximov, A. E. Zhukov «Diode Lasers with Near-Surface Active Region», Semiconductors, v.52, Issue 14, pp.1901-1904, 2018, ISSN: 1063-7826

59. N.A.Kalyuzhnyy, S.A.Mintairov, A.M.Nadtochiy, V.N.Nevedomskiy, R.A.Salii “Investigation of InAs/InGaP nano-heterostructures grown by MOVPE for intermediate band solar cells”, Journal of Physics: Conference Series, v. 1124 (2018) pp.022030, ISSN: 1742-6596.

60. R.A.Salii, V.V.Evstropov, S.A.Mintairov, M.A.Mintairov, M.Z.Shvarts, N.A.Kalyuzhnyy “Optical properties of In0.8Ga0.2As quantum dots in GaAs photovoltaic convertors”, Journal of Physics: Conference Series, v. 1124 (2018) pp.041003, ISSN: 1742-6596.

61. A.A.Serin, A.S.Payusov, Yu.M.Shernyakov, N.A.Kalyuzhnyy, S.A.Mintairov, N.Yu.Gordeev, F.I.Zubov, M.V.Maximov, A.E.Zhukov “Effect of carrier localization on performanceof coupled large optical cavity diode lasers”, Journal of Physics: Conference Series, v. 1124 (2018) pp.041005, ISSN: 1742-6596.

62. A.A.Serin, A.S.Payusov, Yu.M.Shernyakov, N.A.Kalyuzhnyy, S.A.Mintairov, M.V.Maximov, N.Yu.Gordeev, A.E.Zhukov “Reducing of thermal resistance of edge-emitting lasers based on coupled waveguides”, Journal of Physics: Conference Series, v. 1124 (2018) pp.041016, ISSN: 1742-6596.

63. M.A.Mintairov, V.V.Evstropov, S.A.Mintairov, M.Z.Shvarts, N.A.Kalyuzhnyy “Heterointerfaces in the bottom tunnel part of GaInP/GaAs/Ge solar cells”, Journal of Physics: Conference Series, v. 1124 (2018) pp.041028, ISSN: 1742-6596.

64. A.Panchak, N.Kalyuzhnyy, S.Mintairov, M. Shvarts “Modeling of the internal quantum yield for solar cell with quantum dots”, Journal of Physics: Conference Series, v. 1124 (2018) pp.041030, ISSN: 1742-6596.

65. S.A.Levina, E.D.Filimonov, V.M.Emelyanov, M.Z.Shvarts “Optical coupling upset in multijunction solar cells with builtin Bragg reflectors”, Journal of Physics: Conference Series, v. 1124 (2018) pp.041033, ISSN: 1742-6596.

66. E.D.Filimonov, S.A.Levina, M.Z.Shvarts “Sunlight simulation in investigating characteristics of smallsize sunlight concentrators and multijunction solar cells”, Journal of Physics: Conference Series, v. 1124 (2018) pp.041038, ISSN: 1742-6596.

67. K.S.Zelentsov, A.S.Gudovskikh, D.A.Kudryashov, N.V.Kryzhanovskaya, N.A.Kalyuzhnyy, S.A.Mintairov “A novel approach to characterization of bottom sub-cell in multijunction solar cell using photoluminescence”, Journal of Physics: Conference Series, v. 1124 (2018) pp.041039, ISSN: 1742-6596.

68. S.A.Raudik, A.M.Mozharov, D.M.Mitin, A.D.Bolshakov, P.M.Rajanna, A.G.Nasibulin, I.S.Mukhin “Numerical simulation of the carbon nanotubes transport layer inuence on performance of GaAs solar cell”, Journal of Physics: Conference Series, v. 1124 (2018) pp.041040, ISSN: 1742-6596.

69. M.A.Mintairov, V.V.Evstropov, S.A.Mintairov, M.Z.Shvarts, N.A.Kalyuzhnyy “Heating of photovoltaic converter by laser beam: overheating temperature”, Journal of Physics: Conference Series, v. 1135 (2018) pp.012070, ISSN: 1742-6596.

70. A.S.Payusov, Yu.M.Shernyakov, A.A.Serin, A.M.Nadtochiy, S.A.Mintairov1, N.A.Kalyuzhnyy, M.M.Kulagina, A.E.Zhukov, N.Yu.Gordeev, M.V.Maximov “Edge-emitting lasers based on transitionally dimensional InGaAs/GaAs active region”, Journal of Physics: Conference Series, v. 1135 (2018) pp.012071, ISSN: 1742-6596.

71. V.M.Emelyanov, M.A.Mintairov, M.Z.Shvarts “Multijunction photovoltaic converters for information and power transmission systems”, Journal of Physics: Conference Series, v. 1135 (2018) pp.012074, ISSN: 1742-6596.

72. S.A.Levina, V.M.Emelyanov, A.V.Malevskaya, E.D.Filimonov, M.Z.Shvarts “The external quantum efficiency of multijunction solar cells with built-in 1D photonic crystals”, Journal of Physics: Conference Series, v. 1135 (2018) pp.012075, ISSN: 1742-6596.

73. A.E.Marichev, R.V.Levin, B.V.Pushnyii, G.S.Gagis, V.I.Vasil’ev, M.P.Scheglov, D.Yu.Kazantsev, B.Ya.Ber, T.B.Popova, E.P.Marukhina “Effect of growth conditions at MOCVD on thickness uniformity of GaInAsP epilayers obtained on InP”, Journal of Physics: Conference Series, v. 1135 (2018) pp.012076, ISSN: 1742-6596.

74. A.N.Panchak, S.A.Mintairov, M.A.Mintairov, R.A.Salii, M.Z.Shvarts “InAs quantum dots for cascade GaInP / GaAs / Ge solar cells”, Journal of Physics: Conference Series, v. 1135 (2018) pp.012077, ISSN: 1742-6596.

75. R.A.Salii, S.A.Mintairov, M.A.Mintairov, M.Z.Shvarts, N.A.Kalyuzhnyy “Electro-optical properties of InAs and In0.8Ga0.2As quantum dots in GaAs solar cells”, Journal of Physics: Conference Series, v. 1135 (2018) pp.012078, ISSN: 1742-6596.

76. P.Popov, S.Poniaev, M.Nakhimovich, M.Shvarts “Photovoltaic module with sunlight concentrators: numerical simulation of steady state thermal regime”, Journal of Physics: Conference Series, v. 1135 (2018) pp.012100, ISSN: 1742-6596.

77. D.M. Mitin, F.Y. Soldatenkov, A.M. Mozharov, A.A. Vasil’ev, V.V. Neplokh, I.S. Mukhin “Annealing atmosphere influence on contact resistivity of ohmic Pd/Ge/Au contact to n-GaAs”, Nanosyst. Physics, Chem. Math. 2018. Т. 9, № 6. С. 789–792.

78. А.В. Малевская, В.П. Хвостиков, Ф.Ю. Солдатенков, О.А. Хвостикова, А.С.Власов, В.М. Андреев «Исследование омических контактов фотоэлектрических преобразователей», ПЖТФ, т. 45, вып. 1, 2019, стр. 12-15. Перевод: A.V.Malevskaya, V.P.Khvostikov, F.Yu.Soldatenkov, O.A.Khvostikova, A.S.Vlasov, V.M.Andreev «A Study of Ohmic Contacts of Power Photovoltaic Converters», Technical Physics Letters, 2018, Vol. 44, No. 12, pp. 1198-1200, ISSN: 1063-7850.